LED外延测试仪器的原理与应用.pdf

LED外延测试仪器的原理与应用 EPI_3 工艺工程师 李锐 2011年9月13日 目录 一、光致发光（PL） 二、电致发光（EL） X XRD 三、 射线衍射仪（ ） 四、霍尔测量仪（Hall） 五、二次粒子质谱仪（SIMS） PL Photoluminescence 一、光致发光（PL：Photoluminescence） PPLL PPhhoottoolluummiinneesscceennccee • 用光激发发光体引起的发光现象。 • 它大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段。光 的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁，都经过激发态。 PL PL • PPLL是一种运用外来光源照射待测样品，使之发出荧光的 一种非破坏性检测技术。经由能量高于样品能隙的外来光 源激发，使得原本在价带的电子，有机会跃迁到更高能 - 阶；因此，在原本的价带便留下一个空穴，而形成电子 空 - 穴对。这组电子 空穴对，如果以辐射耦合的方式结合，就 可以放出一个光子。当然，也有可能是以热能或其它能量 的方式放出。对于因辐射耦合而放出的光，因其是由外来 光源的激发所形成的，所以通常称之为“光致荧光” 原理 当激发光源照射在待测样品上，利用入射光子能量大于半导体材料 的能隙，将电子由价带(valence band)激发到导带(conduction band)。 而在非常短的时间之内，大部分的高阶电子(空穴)会释放声子或其它过 程，蜕化到导带(价带)的最低能阶，之后再藉由电子空穴对再结合 (electron-hole pair recombination) 而放出荧光。 过程 PL量测原理 将用于激发的激光束聚焦后照射光电材料外延片表面，这时在照射点处将出 现光致发光现象。从照射点处发出的荧光经光谱仪后被线阵CCD探测器收集，经 数据转换后被计算机所记录，这样就可以得到照射点处光致荧光的光谱。通过扫 描方式对样品表面进行逐点测量后，再经过计算机进行谱线成像处理就可以得到 样品表面的光谱和光强等信号的分布图。整个测量过程由计算机控制并显示测量 结果。所有测量数据可以离线显示和进行数据处理。 PL PL谱仪测外延片厚度原理 PPLL 当一束白光垂直入射到一定厚度的薄膜上时，假设薄膜的折射率大 于衬底的折射率，设空气、薄膜、衬底的折射率为n 、n 、n 则 0 1 2， n n n ， 当光入射薄膜之间时，一部分光发生反射强度为I01，一部分 0 1 2 发生折射透过界面射入介质中，当传输到衬底表面时又有一部分发生反 射为I12，一部分发生折射透过衬底射出去；其中的I12又会在薄膜上表 明面发生反射和透射，透射出去的部分为I120，则I01与I120会在薄膜表 面发生干涉，两束光的光程差公式为：ΔL＝2n h-1/2λ，其中光在1~2