msp430FLASH,段码LCD,键盘LED实验.pdf

Msp430 Msp430 MMsspp443300 第四次实验 1. --FLASH 1. --FLASH 11.. 存储器实验FFLLAASSHH 读写编程 1.1 1.1 11..11 实验目的 掌握FLASH 工作原理；了解主控芯片MSP430F6638 片内存储构，学会配置FLASH 模块 的寄存器，实现控制FLASH 存储器的烧写与擦除；学会使用库函数实现对FLASH 读写。 1.2 1.2 11..22 实验原理 为MSP430F663x 系列单片机存储器结构图 MSP430 系列单片机的FLASH 存储器是以段为单元进行划分的。在对FLASH 存储器 进行写操作时，可以以字节或字为单位进行写操作，但对FLASH 存储器进行擦除操作 时，必须以段为单位进行擦除。 FLASH的写入/擦除控制： Flash存储器通过BLKWRT，WRT，MERAS和ERASE位选择写入/擦除模式：字节/字/长字（32 位）写入，块写入，段擦除，扇区擦除（针对主存储区），主存擦除（所有的主存储扇区）， 当擦除扇区时读（除了从当前的扇区读.在待擦除段范围内执行一次空写操作（dummy write），即可启动时序发生器和擦除操作。空写该段的任意地址，都会擦除该段。对待擦除 的地址进行空写操作后，FCTL3 控制寄存器中BUSY 标志位立即置位，直到擦除操作完成， FCTL1 控制寄存器中的MERAS、ERASE 标志位以及FCTL3 控制寄存器中的BUSY 标志位会自 动清零。在擦除操作完成后可以进行写操作，首先应当置位写允许位，即FCTL1 控制寄存器 中的BLKWRT 位和WRT 位。写允许后，可以在FLASH 存储器地址中写入数据，一般使用地 址指针。数据写入完成后，清除写允许位，并置位FCTL3 控制寄存器中的LOCK 位。这样， 一个完整的FLASH 写操作就完成了。除 MERAS ERASE 擦除模式 0 1 段擦除 1 0 空写地址选择的扇区擦除 （一个扇区） 1 1 主存擦除（所有的存储扇 区，信息存储区A到D以 及引导装载段A到D不被 擦除） 长字段 Flash存储器写操作: 可以通过WRT和BLKWRT位来选择写模式： 从FLASH存储器中启动字/字节写入： 从RAM区中启动字/字节写入： 从FLASH存储器中启动长字写入: Flash存储寄存器: 1.3 1.3 11..33 实验步骤 (1) 将PC 和板载仿真器通过USB 线相连； (2) 打开CCS 集成开发工具，选择Project-Import ExistingCCS EclipseProject，导入 \MSP430F6638_DemoV2.0\8.FLASH 文件夹中工程FLASH_ ex1_R； (3) 本实验推荐使用调试方式观察存储器数据的变化，即每个程序在对FLASH 写或 读时设置断点，在调试模式下，打开MemoryBrowser，找到程序中写FLASH 的 地址，观察该地址的数据变化。 1.4 1.4 11..44 实验现象 本实验实现基本的擦除和写入操作，实现不同Info之间的数据拷贝，首先把递增 的数0据写入InfoC，然后实现将InfoC的数据拷贝至InfoD，地址为0x1800，InfoD 中 的数据也是同样递增的数值