半导体器件电热耦合模拟程序的开发与应用.pdfVIP

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2017-11-19 发布于浙江
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半导体器件电热耦合模拟程序的开发与应用.pdf

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半导体器件电热耦合模拟程序的开发与应用

ISSN 1000-0054 ( ) 1999 39 S1 30/ 31 CN 11-2223/ N J T singhua Un iv ( Sci Tech) , 1999, V l. 39, N . S1 114117 半导体器件电热耦合模拟程序的开发与应用* 田立林, 　郝　明 , 100084 开发了一个半导体器件的电热耦合器件模拟程序。 , 它以双重能量传输模型为基 , 包括了晶格中的热扩散以及载流子的产生、复合所造成的能量变化, 考虑了载流子能流对整个热系统的影响。根据电热耦合模拟的特点, 本程序采 1　热平衡方程用了组解耦法和异时间步长法两种算法。组解耦法的运算速 , PISCES-2H 度是传统算法( 全New t n 法) 的2 ～3 倍而内存空间可节省 L L T T 一半。本程序已被集成到器件模拟软件PISCES -2H 中。对一 P iss n 个SOI 结构的负阻效应和瞬态特性的模拟结果表明, 该程序能够正确模拟器件发热情况以及自热对器件特性的主要 ( DUal Energy T ransp rt, DUET 影响。 ) 6 电热耦合模拟; 自热; 热平衡方程; 组解耦法; 异 n : ( ) n ( ) p ( ) T ( 时间步长法 ) p ( ) L ( ) , T T T N 386. 1 6 , - I V , ( VLSI) [ 4] 6 6 , , DUET ( ) 2 , SOI SiO ( ) w n [ 1, 2] t = - sn + j n En - uwn ( 1) M OSFET SOI M OSFET[ 3] w p t = - sp + j p Ep - uw p ( 2) PISCES-2ET