第5讲 光刻.pdf

微机电系统制程 Microfabrication technology 第五讲：光刻 梁庆 乔大勇 课程内容 光刻 剥离 A. 概述 G. 中烘 B. 预烘 H. 显影 C. 涂胶 I.坚膜 D. 软烘 J. 镜检 E. 对准 K. 去胶 F. 曝光 L. 剥离 光刻-概述 光刻-概述 制作西北工业大学微/纳米系统实验室“LOGO”的工艺流程 光刻-概述 光刻-概述 光刻-预烘 预烘(Dehydration Bake)又称脱水烘焙，通常伴随有“打底膜”工艺。目 的都是为了增强硅片与光刻胶之间的粘附性  脱水烘焙：目的是除去吸附在硅片表面的 大部分水汽。硅片表面的水汽会大大降低光刻 胶的粘附性。脱水烘焙一般是在400度的对流 烘箱中进行。采用扩散炉烘焙则需要在800度 粘附性不好显 影后产生浮胶 的温度下进行烘焙。  打底膜：脱水烘焙以后，可以立即采用六 甲基二硅胺烷(HMDS)进行对硅片进行成膜处理 ，进一步提高硅片对光刻胶的粘附性，HMDS起 到了粘附促进剂的作用。 光刻-预烘 如果不进行脱水，则光刻胶是和硅片表面的水膜接触，而不是和硅片接 触，黏附效果就比较差。 光刻-预烘 Hydrophilic Hydrophobic 150-250℃ 90℃ 60-90秒 60-90秒 光刻-预烘 编号 光刻胶属性 脱水烘焙条件 BP212 名称 温度 450℃ 1 正胶 黏度 37CP 时间 15分钟 BP218 名称 温度 900℃ 2 正胶 黏度 300CP 时间 15分钟 光刻胶粘度的单位是CP，为英文CentiPoise的缩写，中文名称为厘泊， 换算成国际单位为10-3Pa·S 。由于HMDS有毒，本实验室没有专门的设 备打底膜，所以脱水烘焙是采用扩散炉在高温下进行的。 光刻-涂胶 预烘完成后，硅片要立即采用旋转涂胶的方法涂上光刻胶。硅片被固定在一 个真空载片台上。然后将一定数量的光刻胶滴在硅片的中心，然后硅片旋转 得到一层均匀的光刻胶涂层。不同的光刻胶要求不同的