第一节 电力电子器件1.pptVIP

* 1.4.3 电力场效应晶体管 电力MOSFET的工作原理 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过 ■ 绝缘栅 反型层P---N 漏极 源极 栅极 * 1.4.3 电力场效应晶体管 导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 ■ * 1.4.3 电力场效应晶体管 2. 电力MOSFET的基本特性 1)???静态特性 图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs ■ 饱和指漏源电压增加时漏极电流不再增加 * 1.4.3 电力场效应晶体管 MOSFET的漏极伏安特性： 截止区 饱和区 非饱和区 电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换 电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通 电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利 ■ 截止区 非饱和区 * 1.4.3 电力场效应晶体管 2)???动态特性 图1-21 电力MOSFET的开关过程 a) 测试电路 b) 开关过程波形 up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻，RG—栅极电阻， RL—负载电阻，RF—检测漏极电流, : 从开启电压 上升到MOSFET进入非饱和区的栅 压 这段时间称为上升时间???? ■ * 1.4.3 电力场效应晶体管 开通过程 开通延迟时间td(on) —— up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段 上升时间tr—— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段 iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定 UGSP的大小和iD的稳态值有关 UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变 ?开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和 ■ * 1.4.3 电力场效应晶体管 关断过程??? 关断延迟时间td(off) ——up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小止的时间段 下降时间tf—— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGSUT时沟道消失，iD下降到零为止的时间段 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和 ■ * 1.4.3 电力场效应晶体管 MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系 使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度 MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 ■ * 1.4.3 电力场效应晶体管 3. 电力MOSFET的主要参数 跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf，还有 1)??漏极电压UDS 电力MOSFET电压定额 2)? 漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM 电力 MOSFET电流定额 3) 栅源电压UGS 栅源之间的绝缘层很薄， ?UGS?20V将导致绝缘层击穿 4)?极间电容 ??? 极间电容CGS、CGD和CDS ? 厂家提供：漏源极短路时的输入电容Ciss、共 源极输出电容Coss和反向转移电容Crss ■ * 1.4.3 电力场效应晶体管 Ciss= CGS+ CGD （1-14） Crss= CGD （1-15） Coss=