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第九章 光辐射探测器Radiation Detector 1、基本原理 (a)光热效应 (b)光电效应 (光电导、光伏、光电发射） (c) 探测器噪声( 热、散粒、产生/复合、低频、温度） (d)性能参数 2、光热探测器(热敏电阻、热释探测器） 3、光电探测器 (a)光电导器件 (b)PN结型光电器 光电池、光电二级管、光电三级管、光电场效应管 4、光电发射器件（光电管、光电倍增管） 光热效应Photothermal Effect 光热效应Photothermal Effect 光电效应Photoelectric Effect 半导体基本概念－能带Basic Concept of Semiconductor—Energy Band 半导体基本概念－能带Basic Concept of Semiconductor—Energy Band 光子与半导体相互作用Interaction Between Photon and Semiconductor 常温下半导体的统计特性Semiconductor Statistics at normal temperature 常温下半导体的统计特性Semiconductor Statistics at normal temperature N型半导体N- type Semicondutor P型半导体P- type Semicondutor P型和N型半导体P- and N- type Semicondutor 半导体的PN结PN Junction of Semicondutor 半导体的PN结PN Junction of Semicondutor 半导体的PN结PN Junction of Semicondutor 半导体的PN结－正向偏压Forward Bias 半导体的PN结－反向偏压Reverse Bias 半导体的PN结－反向偏压Reverse Bias 光电导效应Photoconductivity 光电导效应－响应时间Photoconductivity－Respond 光伏效应Photovoltage 光电发射效应Photoemission 光探测器的噪声Noises of Radiation Detector 光探测器的噪声Noises In Radiation Detector 光探测器的噪声Noises In Radiation Detector 光探测器的噪声Noises In Radiation Detector 光探测器的性能参数Features and Performance parameters of Radiation Detector 光探测器的性能参数Features and Performance parameters of Radiation Detector 光热探测器－热敏电阻 Photothermal Detector 光热探测器－热释电探测器Photothermal Detector 光热探测器－热释电探测器Photothermal Detector 光电导器件Photoconductive Device 光电导器件Photoconductive Device 光电导器件Photoconductive Device 结型光电器件PN－Type Optoelectronic Device 光电池 （Solar Cell） 光电池 （Solar Cell） 热释电器件等效电路 常用热电晶体材料：硫酸散甘肽(TGS)、钽酸锂(LiTaO3)和压电陶瓷材料 RS＝1010? 1、光敏电阻 光电特性 Ip=SgU?L? ??1 弱光：?＝1；强光： ?＝0.5 (b)光谱特性 响应对波长具有选择性，CdS在515～600nm之间。 (c)频率特性 光敏电阻响应较慢，ms量级。 (d)伏安特性 光敏电阻两端电压和流过的电流为伏安特性，如图右所示 (e)温度特性 温度的变化引起光谱响应、峰值等参数改变。 (f)前历效应 暗态前历效应:光敏电阻处于暗态时间越长，光照后光电流上升越慢。 亮态前历效应:光敏电阻已处于照亮状态当亮度变化时，光电流出现滞后的现象。 (g)噪声特性 光敏电阻噪声主要有:热噪声、产生－复合噪声、1/f噪声 光敏电阻特点： (1) 光谱响应宽：紫外到红外 (2) 工作电流大, 几个mA量级 (3) 所测光强范围比较大 (4) 灵敏度高 (5) 偏置电压低，无极性 缺点：光电张弛过程较长，频率特性差。 偏置电路一般采用： 基本偏置、恒流偏置、恒压偏