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第九章 半导体存储器 * 第9章 半导体存储器 一、半导体存储器概念 2.存取速度 三、分类 二、重要指标 1.存储量 1.按存取方式分类 第一节 只读存储器（ROM） 2.按使用器件类型来分 一、ROM的分类 1.按存储内容写入方式来分 四、ROM的逻辑关系 二、ROM的结构 三、ROM的工作原理 1.属于组合逻辑电路 2.阵列图 五、ROM的应用 六、固定ROM(MROM) 1.实现组合逻辑函数 2.字符发生器 (1) UVEPROM 七、可编辑只读存储器(PROM) 八、可改写可编程只读存储器(EPROM) (2) E2PROM 九、快闪存储器 第二节 随机存储器(RAM) 1.位扩展 一、静态RAM(SRAM) 二、存储容量的扩展 2.字扩展 三、动态RAM(DRAM) 第9章 半导体存储器 一、半导体存储器概念： 2.存取速度 二、重要指标 三、分类 1.存储量：字数 N × 位数 M 如1K容量通常指 1024 × 8 bit *高速RAM的存取时间仅10ns左右 1.按存取方式分类： 串行存储器(SAM): Sequential Access Memory 只读存储器(ROM): Read Only Memory 随机存储器(RAM): Random Access Memory FIFO型 例：前述的单向移位寄存器 FILO型 例：前述的双向移位寄存器 第一节 只读存储器（ROM） 一. ROM的分类： 1.按存储内容写入方式来分： 固定ROM(MROM) 可擦可编程ROM(EPROM) 可编程ROM(PROM） UVEPROM E2PROM FLASH MEMORY 2.按使用器件类型来分 二极管ROM MOS型三极管ROM 双极型三极管ROM 二.ROM的结构 ： 地址译码器、存储单元矩阵、输出电路 存储矩阵M×N 输出电路 b0 b1 … b N-1 D0 D1 … D N-1 地址译码器 W0 … A0 图9.1.1 ROM的结构框图 W1 WM-1 … A1 AK 结论：存1，字线W和位线b间接二极管； 存0，字线W和位线b间不接二极管。 三.ROM的工作原理 1 1 D3 D2 D1 1 D0 驱动器 输出电路 存储矩阵 地址译码器 b3 b2 b1 b0 字线 W0 W1 W2 W3 1 1 1 位线 VCC A1 A0 图 9.1.2 4×4 位二极管ROM 表9.1.1 图9.1.2的地址输入与输出状态对应关系 1 0 1 1 W3 1 1 1 0 1 0 W2 0 1 0 1 1 1 W1 1 0 0 1 0 1 W0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 ROM输出 选中字线 地址输入 四、ROM的逻辑关系： 1.属于组合逻辑电路 译码器部分的输出变量和输入变量（包括原 变量和反变量）构成“与”的关系。 存储矩阵和输出电路部分的输出变量和存储 矩阵的输入变量构成“或”的关系。 2.进行ROM电路的分析和设计，常用阵列图来表 示ROM的结构 D0 D1 A1 A0 图 9.1.3 ROM的阵列图 A1 A0 W0 W3 W2 W1 D2 D3 与阵列 或阵列 “黑点”代表输入、输出间应具有的逻辑关系 （“与”或者“或”）（在存储矩阵中，表示交叉 处有二极管。） 五、ROM的应用 1.实现组合逻辑函数 例9.1.1 试用ROM实现如下组合逻辑函数。 首先应将以上两个逻辑函数化成由最小项 组成的标准“与-或”式,即 解: 采用有3位地址码、2位数据输出的8字节×2 位ROM。将A、B、C3个变量分别接至地址 输入端A2A1A0。按逻辑函数要求存入相应数 据,即可在数据输出端D0、D1得到F1和F2,其 ROM 阵列如图9.1.9所示 1 1 1 (D1) (D0) F2 F1 A B C 图 9.1.9 例9.1.1ROM 阵列 例9.1.2 试用ROM设计一个8421 BCD码7段显示译码器电路，其真值表如表9.1.2所示。 解：由真值表可见，应取用输入地址为4位，输 出数据为7位的16 字节×7位ROM。 可根据真值表直接画出ROM的阵列图，而 不需要列出逻辑式。 9 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 8 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 7 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 6 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 5 0 0 1 0