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《检测技术》一01一7一半导体传感器一简介
半导体材料在光线作用下电导率增加的现象就是光电导效应。 物体受光照射后,其内部的原子释放出电子并不逸出物体表面,而仍留在内部称为内光电效应。 光电导效应:使物体的电阻率发生变化前者称为 光生伏打效应:产生光电动势的现象 * * * * * 第七节 半导体传感器 7-1 光电式传感器-01 原理: 光电式传感器是以光电效应为基础,将光信号转换成电信号的传感器。 光电效应: 当具有一定能量的光子作用到某些物体上转化为该物体中一些电子的能量而产生电效应。 7-1 光电式传感器-光电效应 光电效应一般分为: 外光电效应 光电导效应 光生伏特效应 一、外光电效应 光线照射在某些物体上,而使电子从这些物体表面逸出的现象称为外光电效应,也称光电子发射,逸出的电子称为光电子。 7-1 光电式传感器-光电效应 7-1 光电式传感器-光电效应 外光电效应的器件的基本电路 7-2 光电式传感器-外光电效应 7-3 光电式传感器-光电导效应和光生伏特效应 物体受光照射后,其内部的原子释放出电子并不逸出物体表面,而仍留在内部称为内光电效应。 光电导效应:使物体的电阻率发生变化前者称为 光生伏打效应:产生光电动势的现象 7-3 光电式传感器-光电导效应和光生伏特效应 光敏电阻: 光敏电阻是一种用光电导材料制成的没有极性的光电元件,也称光导管。 原理: 基于半导体光电导效应工作。 特点: 由于光敏电阻没有极性,工作时可加直流偏压或交流电压。当无光照时,光敏电阻的阻值(暗电阻)很大。 7-3 光电式传感器-光电导效应和光生伏特效应 1 暗电阻越大亮电阻越小灵敏度越高。 7-3 光电式传感器-光电导效应和光生伏特效应 2 不同的半导体材料,对不同波长光的灵敏度是不同的 7-3 光电式传感器-光电导效应和光生伏特效应 3 随着温度的升高,光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下降,温度的变化也会影响光谱特性曲线。硫化铅光敏电阻等光电器件随着温度的升高光谱响应的峰值将向短波方向移动,所以红外探测器往往采取制冷措施。 7-4 光电式传感器-光敏二极管 半导体光敏二极管与普通二极管相比,有许多共同之处,它们都有一个PN结,均属单向导电性的非线性元件。 7-4 光电式传感器-光敏二极管 光敏二极管一般在负偏压情况下使用,它的光照特性是线性的,所以适合检测等方面的应用。光敏二极管在没有光照射时,反向电阻很大,反向电流(暗电流)很小(处于截止状态)。 7-4 光电式传感器-光敏三极管 光敏三极管是一种相当于在基极和集电极之间接有光电二极管的普通三极管。 7-4 光电式传感器-光电池 光电池是根据光生伏特效应制成的将光能直接转变成电能的一种器件。 种类繁多:早期-氧化亚铜光电池,因转换效率低已很少使用。 目前-应用较多的是硒光电池和硅光电池。 硒(xi)光电池因光谱特性与人眼视觉很相近,频谱较宽,故多用于曝光表、照度计等分析、测量仪器。 7-4 光电式传感器-硅光电池 硅光电池与其它半导体光电池相比,不仅性能稳定,还是目前转换效率最高(达到17%)的几乎接近理论极限的一种光电池。 光(导)纤(维)是20世纪70年代的重要发明之一,它与激光器、半导体探测器一起构成了新的光学技术,创造了光电子学的新天地(领域)。光纤的出现产生了光纤通信技术,特别是光纤在有线通信的优势越来越突出,它为人类21世纪的通信基础一—信息高速公路奠定了基础,为多媒体(符号、数字、语音、图形和动态图像)通信提供了实现的必需条件。由于光纤有许多新的特性,所以不仅在通信方面,而且在其他方面也提出了许多新的应用方法。例如,把待测量与光纤内的导光联系起来就形成光纤传感器。光纤传感器始于1977年,经过30年的研究,光纤传感器取得了十分重要的进展,目前正进入研究和实用并存的阶段。它对军事、航天航空技术和生命科学等的发展起着十分重要的作用。随着新兴学科的交叉渗透,它将会出现更广阔的应用前景。 7-1 光纤传感器-01 一、光纤结构和传光原理 光纤结构十分简单,它是一种多层介质结构的圆柱体,圆柱体由纤芯、包层和护层组成。 纤芯材料的主体是二氧化硅或塑料,制成根细的圆柱体,其直径在5~75μm内。有时在主体材料中掺人极微量的其他材料如二氧化锗或五氧化二磷等,以便提高的折射率。围绕纤芯的是一层圆柱形套层(包层),包层可以是单层,也可以是多层结构,层数取决于光纤的应用场所,但总直径控制在100~200μm范围内。包层材料一船为SiO2,也有的掺人极微量的三氧化二硼或四氧化硅。与纤芯掺杂的目的不同,包层掺杂的目的是为了降低其对光的折射率。包层外面还更涂一些涂料,其作用是保护光纤不受外来的损害
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