半导体激光光强分布的部分相干模型!-重庆师范大学学报自然科学版.PDFVIP

! #$# 年$$ 月 重庆师范大学学报（自然科学版） %’( #$# 第) 卷 第* 期 +,-./0 1 23.456.4 %-7/0 8.6’9-:6;（%/;,-/0 =69.9 ） ?0( ) %( * @AB ：$# ( CD*DE +( B==%( $*)F **DC( #$# ( #*( #$) 半导体激光光强分布的部分相干模型! 杜! 亮，梁一平 （重庆师范大学 物理学与电子工程学院重庆市高校光学工程重点实验室，重庆G###G) ） 摘要：激光远场光强分布一般与输出功率大小有关，在相同功率水平下，不同激光二极管的远场分布往往不同，因此 需要一种模型能全面地描述不同半导体激光器在各种情况下的远场分布。根据半导体激光器发出的激光具有部分 相干性和双光束的部分相干性原理，利用瑞利F索莫菲衍射积分公式，提出并推导得出了描述半导体激光远场分布的 G G!% 新理论模型。在激光二极管远场光强慢轴方向理论模型可表示为! （# ，， ）# ! （ ）: ·［$ $ :（ :6. $ ! # ! ! # ! $ ）］9HI［ :6. ! ］，已观察到的远场光强分布与曲线符合得更准确。和已有的一些理论模型相比，新模型不但有可 ’# 靠的推理论据，而且能够通过’ 、、等参数的调整来描述不同激光二极管光强的远场分布。 $ 关键词：半导体激光器；能流密度；部分相干光；远场分布；发光元 中图分类号： AGC* 文献标识码：J! ! ! 文章编号：$*)F **DC（#$# ）#KF ##)CF #* ! ! 半导体激光器（激光二极管）具有效率高、体积小、寿命长的优点，在激光通讯，光储存，光陀螺，激光打 印，测距及雷达等方面得到了广泛的应用［$F ］。但是L@ 输出光束发散角大，并且是高度像散的，在垂直于 IF. 结（快轴）方向和平行于IF. 结（慢轴）方向束腰相差很大。在实际应用中，为了更加合理和有效利用激 光二极管发出的激光光束，激光光束在多数情况下需要经过整形后才能应用［CF) ］，无论进行何种整形方案的 设计，都必须准确了解激光二极管的光场分布，才能有效实现其整形目的。为此已进行了大量实验研究和理 论研究，并提出了很多描述L@ 远场分布的理论模型，典型的有椭圆像散高斯模型、波导F高斯模型、指数F高 ［MF$$］ 斯模型和指数F厄米高斯模型等 。然而，文献中提出的这些理论模型与远场分布的实验结果比较，存在 不同程度的差异，特别是还没有一个模型能全面地描述半导体激光远场分布的各种情况。 只包含一个发射单元（发光区）的大功率激光二极管由多个相互耦合的条形有源区构成，模式结构十分 复杂［$F$K ］。一个激光二极管可以认为是由很多个既相对独立又互相影响的发光元密集地排列在一起构成 的，发出的是部分相干光，且光场分布在不同条件下也有明显的差异，甚至出现双峰和多峰结构［$GF$D ］。考虑 到光场能流密度的矢量特性，应当使用非傍轴光束传输理论。文献［$M ］、［$D ］提出了用两个非相干离心高 斯光束描述场源处平行于结平面方向场分布的模型，较好地解释了二极管激光器远场分布的双峰结构。本 文在上述已有的研究成果基础上，根据部分相干光理论，结合实验研究结果讨论了部分相干的双光束干涉形 成的远场分布。 $ 双光束干涉的部分相干性理论［# ］ 如果在空间某一点的光场!