华梵大学教务处学生学习资源中心.PDFVIP

華梵大學電子工程學系 學生創作研究報告 規則凹光柵配合漸變蝕刻凹槽之絕緣覆矽 基板高效率光柵耦合器 High efficient grating coupler with concave uniform grating and gradual etched fillister on a silicon-on-insulator substrate 處理方式：□可立即對外提供參考 （請打）□ 一年後可對外提供參考 執行學生：許少諭 補助編號：98120 研究期間： 98 年10月 1日至 99 年4月底止 指導教授：陳淮義 副教授 中 華民 國 九十九 年 五月 摘 要 本文為矽光子學中 「光源與光波導引傳送」領域的應用研究 藉 由有限差分時域(FDTD) 光學模擬軟體，我們進行光電整合 IC與光纖 間 耦合橋樑- 光柵耦合器的設計 ，我們模擬設計規則凹光柵配合漸變 蝕刻凹槽之絕緣覆矽基板高效率光柵耦合器 具有二氧化矽覆蓋層之 含分散式布拉格反射鏡之光柵耦合器，模擬設計中，我們改變週期、 蝕刻深度、 光柵高度 、覆蓋層厚度、埋藏氧化層厚度等參數，探討此 類參數對光柵耦合器耦合效率的影響程度，以作為 光柵耦合器最佳化 結構設計之參考 ，之後在光柵中加入階梯式漸變蝕刻法，在與無漸變 蝕刻法光柵耦合器作比較 ，期能獲得高耦合效率之光柵耦合器 。 透過各種參數的模擬分析後 ，規則凹光柵配合漸變蝕刻凹槽之絕 緣覆矽基板高效率光柵耦合器，於1.55μm波長下 ，我們得到最佳 光纖 入射角度為8度時，最佳耦合效率為80.6% ，3dB頻寬大小為90 nm ，頻 寬 亦高但光耦合效率達相當的水準；然而規則凹光柵配合無漸變蝕刻 凹槽之絕緣覆矽基板高效率光柵耦合器 ，最佳光纖入射角度為10度 時，最佳耦合效率為73.8% ，3dB頻寬大小為100 nm 。 關鍵詞 : 光柵耦合器、光學連線、耦合效率、耦合角度、光電整合積 體電路 I 論文目錄 第一章 緒 論 …………………….1 1.1前言 1 1.2研究動機與目的 2 1.3論文架構 3 第二章 原理介紹 4 2.1 光波導原理4 2.2 光柵原理6 2.3 分散式布拉格反射鏡原理9 第三章 光柵耦合器模擬設計 11 3.1 光波導層厚度(WAVEGUIDE LAYER THICKNESS設計) 考量13 3.2 光柵週期(GRATING PERIOD設計) 考量 13 3.3覆 蓋層厚度(CLADDING LAYER THICKNESS設計考量) 15 3.4 分散式布拉格反射鏡(DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR設計考量) 16 3.5 埋藏氧化層厚度(BURIED OXIDE THICKNESS設計考量) 17 第四章 結果19 4.1 無漸變蝕刻凹槽之規則凹光柵型光柵耦合器19 4.2漸變蝕刻凹槽之規則凹光柵型光柵耦合器20 II 第五章 結論與未來研究方向 23 參考 文獻 24 附件 (投稿國內外國際會議論文接受 )25 (一)SHAO-YU XU, KAI-CHUN YANG, HUAI-YI CHEN, “HIGH EFFICIENT GRATING COUPLER WITH CONCAVE UNIFORM GRATING AND GRADUAL ETCHED FILLISTER ON A SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE”, NATIONA