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固体物理-4固体的电性质-10
第三章 固体的电特性
- 功函数与接触电势
3.1 外场中电子运动状态的变化
- PN结
3.2 费米统计分布
- 金属半导体结
3.3 金属中电子输运过程
- 金属-绝缘体-半导体系统
3.4 半导体中载流子的输运过程
3.5 霍尔效应 韦丹书P185
3.6 固体间接触的电特性
肖特基结
1938年，德国物理学家肖特基（Walter Schottly ）发展
了一套理论，以解释金属-半导体结
肖特基二极管——最早的半导体器件
金属须和裸露的半导体表面轻触而成
不容易形成，且可靠性差
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肖特基结
1938年，德国物理学家肖特基（Walter Schottly ）发展
了一套理论，以解释金属-半导体结
肖特基二极管——最早的半导体器件
金属须和裸露的半导体表面轻触而成
不容易形成，且可靠性差
讨论金属-半导体接触（欧姆接触）的基础
金属-半导体结在IC电路的实际制作过程中非常重要，
因为其中有成百万、上亿个导线和有源器件的接触点
- 肖特基势垒（Schottky barrier ）（与PN结相似）
- 欧姆接触 （Ohmic contact ） （与电阻相似）
- MOS接触 （metal-oxide-semiconductor ）
2
肖特基势垒-肖特基结
典型功函数(eV) ：
金属：Al 4.28, Au 5.1, Pt 5.65
半导体：Si 4.01, Ge 4.13, GaAs 4.07
金属-n型半导体
接触前：
一般金属的功函数m
大于半导体的功函数s
3
肖特基势垒-肖特基结
金属-n型半导体 金属-(p)-n型半导体
接触后：
热平衡下，电子流向能量更低的金属，带正电荷的施主离子
留下，形成一个空间电荷区（耗尽区）
+
+
+
+
空间电荷区（耗尽区）
4
半导体与金属接触后的能带
金属-n型半导体 金属-(p)-n型半导体
肖特基势垒
阻止金属电子向半导体运动
X
B 0 m
+
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