扩散工艺-微电子学院微电子试验教学中心-西安电子科技大学.pptVIP

第三章 扩 散 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 概述 关于掺杂 目的:改变半导体的电特性 定义:将所需的杂质，以一定的方式掺入到半导体基 片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要 求的分布。 应用:制作①PN结②IC中的电阻③欧姆接触区 ④硅栅⑤互连线 方法:①（热）扩散②离子注入③合金 半导体制造常用杂质 具有掺杂区的双井CMOS结构 CMOS 制作中的一般掺杂工艺 扩散 定义：将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达 到将杂质扩散到硅片内的目的。 方法： 按掺杂源的形态分类： ①固体源扩散： BN；开管扩散、箱法扩散、涂源法扩散； ②液态源扩散： POCl3 ③气态源扩散： PH3，BH3 按扩散形式来分类（杂质源→硅片）: ①气相→固相扩散（三种源都可用） ②固相→固相扩散 ③液相→固相扩散 按杂质扩散进入硅片后的分布形式分类：恒定表面源扩散分布 (余误差分布)和有限表面源扩散分布(高斯分布) 按扩散系统分类：开管和闭管两大类。 3.1 扩散机构 替位式杂质和间隙式杂质 3.1 扩散机构 3.1.1 间隙式扩散 ①定义--杂质在晶格间的间隙中运动（扩散） ②势垒—间隙位置的势能相对极小，相邻两间隙之间 是势能极大位置，必须越过一个势垒Wi。 ∵ f(Wi)∝exp(-Wi/kT) —玻尔兹曼统计分布 ∴单位时间越过Wi的跃迁几率Pi=ν0 exp(-Wi/kT), ν0 –振动频率，k—玻尔兹曼常数 ③杂质—半径较小的原子，如H。 3.1 扩散机构 3.1 扩散机构 3.1.2 替位式扩散 ①定义——杂质原子从一个晶格点替位位置运动到另一个替位位置。 前提----邻近格点有空位 形成空位机制——两种缺陷(肖特基缺陷和弗仑克尔缺 陷) ②势垒---与间隙式相反，势能极小在晶格位置，间隙处 是势能极大位置，必须越过一个势垒WS。 跃迁几率Pv = ν0 exp[-(Wv+Ws)/kT], Wv-形成空位所需的能量 ③杂质—半径与Si相近的原子，如B、P、As、Sb等。 3.1 扩散机构 3.2 扩散系数与扩散方程 本质上：扩散是微观粒子做无规则热运动的统计结果 方向上：高浓度向低浓度扩散 3.2.1 菲克第一定律 D—扩散系数（cm2/s)， —杂质浓度梯度 “-”—表示从高浓度向低浓度扩散 J—扩散流密度：单位时间内通过单位面积的杂质数。 3.2 扩散系数与扩散方程 3.2.2 扩散系数 为了得到扩散系数的表达式，明确原子的扩散系数D与温度T等因素的之间的关系，下面我们以间隙式扩散为例(书上是以替位式扩散为例)，首先讨论间隙式扩散的跳跃几率Pi与D之间的联系。 为简单起见，考 虑一维间隙原子的 扩散。设晶格常数 为a，间隙原子在x 处的密度为N(x)。 现在考虑相邻间隙 位置的两个面，其 坐标分别为x和x+a。 3.2 扩散系数与扩散方程 3.2 扩散系数与扩散方程 3.2 扩散系数与扩散方程 对扩散系数作变换得到： D=a2ν0 exp(-ΔE/kT) =D0exp(-ΔE/kT) D0—表观扩散系数，即1/kT→ 0时的扩散系数 ΔE—激活能；间隙扩散： ΔE = Wi， 替位扩散： ΔE = Ws+ Wv D是描述粒子扩散快慢的物理量，是微观扩散的宏观描述。 3.2 扩散系数与扩散方程 D0、ΔE、T决定D （ D=D0 exp(-ΔE/kT)） ①D与ΔE成反比 替位扩散： ΔE = Ws+ Wv ，能量高，慢扩散； 间隙扩散： ΔE = Wi，能量低，快扩散。 ② D与T成正比 a.高温扩散： T=800-1200℃ ； 例如，室温下Si中替位杂质要等10