高温水中添加微量Zn2＋对Inconel600合金氧化膜半导体性质的影响.PDFVIP

2011 年第 69 卷 化 学 学 报 Vol. 69, 2011 第 23 期, 2801～2806 ACTA CHIMICA SINICA No. 23, 2801～2806 ·研究论文· 高温水中添加微量 Zn2＋对 Inconel600 合金氧化膜半导体性质的影响 张胜寒 檀 玉* 梁可心 (华北电力大学环境科学与工程学院 保定 071003) 摘要 核电站采用 Zn2 ＋注入技术减少一回路镍基材料的应力腐蚀和辐射污染. 向高温水中添加微量 Zn2 ＋制备 Inconel600 合金表面氧化膜, 用光电化学响应技术和容抗测量技术研究 Zn2＋对氧化膜半导体性质的影响. 光电化学响 应结果表明, 氧化膜中不同氧化相的特征带隙宽度分别为 Fe O 2.2 eV, Cr O 3.5 eV, Fe Ni － Cr O 4.1 eV 和 ZnO 3.2 2 3 2 3 x 1 x 2 4 eV; 在开路电压下, 无 Zn2＋参与生成的氧化膜表现阴极光电流响应, 有 Zn2＋参与生成的氧化膜表现阳极光电流响应. Mott-Schottky 结果表明, 有 Zn2＋参与生成的氧化膜平带电位较负, 相同极化电压下 C－2 (C 空间电荷电容)值较大. SC SC 高温水中添加微量 Zn2＋离子, 能够改变 Inconel600 合金表面氧化膜的半导体性质. 光电化学响应法是检测氧化膜中微 量氧化相的一种灵敏且有效的方法. 关键词 Inconel600 合金; 氧化膜; 半导体性质; Zn 注入; 高温水; 光电化学响应 Semiconductor Property of Oxide Films on Inconel600 Formed in High Temperature Water with Zinc Addition Zhang, Shenghan Tan, Yu* Liang, Kexin (School of Environmental Science and Engineering, North China Electric Power University, Baoding 071003) Abstract Zinc addition technique is widely used in the first circuit of boiling water reactor (BWR) and pressurized water reactor (PWR) to lower the stress corrosion cracking and radioactive pollution of nickel-base alloys. An oxide film of Inconel600 with semiconductor properties was formed in high tempera- tur