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金属-氧化物-半导体 （MOS）场效应管 结型场效应管 （JFET ） 场效应管的分类： N沟道 增强型 MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道 FET 绝缘栅型 耗尽型 场效应管 P沟道 JFET N沟道 （耗尽型） 结型 P沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 给定一个vGS ，就有一条不 同的 iD – vDS 曲线。 iD f (vDS ) vGS const. ①截止区 当v ＜V 时，导电沟道尚 GS T 未形成，iD ＝0 ，为截止工 作状态。 ②可变电阻区 v ≤ （v －V ） DS GS T i K [2(v V ) v v2 ] D n GS T DS DS 由于vDS较小，可近似为 i 2K (v V ) v D n GS T DS ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） （2 ）转移特性 iD f (vGS ) vDS const. vGS 2 iD IDO ( 1) V T 结型场效应管 • 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 • JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此i0，输入电阻很高。G • JFET是电压控制电流器件，i受v 控制。 D GS • 预夹断前i与v 呈近似线性关系；预夹断后， D DS i趋于饱和。D 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型