第3章氧化_6.pdf

第3章 氧化工艺 本章内容 3.1 二氧化硅膜的性质和功能 3.2 热氧化原理和方法 3.3 二氧化硅膜的质量检测 3.1 二氧化硅膜的性质和功能 石英是排列有序的SiO 晶体，其特点 2 是“长程有序”，其密度为约2.65g/cm3 。 二氧化硅膜从整体上说，原子排列是 氧 混乱的、不规则的，即所谓“长程无序”， 硅 上面结构可认为是4个氧原子位于三角形多面体的 但从局部看，原子的排列并非完全杂乱， 角上，多面体的中心是一个硅原子。这样，每4个氧原 有一定的规则，即“短程有序”，密度约为 子近似共价键合到硅原子，满足了硅的化合价外壳。 3 如果每个氧原子是两个多面体的一部分，则氧的化合 2.20g/cm 。 价也被满足，这就是石英晶体结构。 在二氧化硅膜中，有的氧原子与两个 在理想的条件下，如果SiO 的生长过 2 硅原子键合，称为桥键氧。只与一个硅原 程中不存在任何杂质沾污的话，则在Si片 子键合的氧原子，称为非桥键氧。所以二 表面将形成仅有硅和氧而无其它元素的本 氧化硅膜主要由任意方向的多面体网络组 征SiO2膜。实际上，即使是热氧化生成的 成，桥键氧越多，则二氧化硅膜越致密。 膜，也不同程度地有杂质沾污。实验表明， 干氧氧化的二氧化硅膜比湿氧和水汽氧化 的二氧化硅膜都致密，就是因为干氧氧化 SiO2膜中的杂质绝大部分是被电离的，且 的二氧化硅膜中桥氧键多。 大多数以正离子的形式存在于网络中。 网络形成剂和网络调节剂 处于硅-氧四面体网络空隙中孔洞位置的那 网络形成剂和网络调节剂 一类杂质，称为“ 网络调节剂”，又称为“间隙式 掺入的电离杂质，按其在SiO 网络中的位 2 杂质”，最常见的网络调节剂有钠、钾、铅、钙 置和作用，可以分成网络形成剂和网络调节剂 两种。在硅-氧四面体中可以取代硅原子并构成 等正离子，其特点是离子半径较大。这类杂质 网络的一类杂质，称为“网络形成剂”，又称为 多以氧化物形式掺入SiO2膜，电离后，杂质正 “替位式杂质”，它们的特点是离子半径与Si原 离子将占据网络空隙位置，而氧离子进入网络。 使得在一个桥键氧处出现两个非桥键氧。例如 子的半径相接近或更小，如硼、磷、锑等正离 Na O的掺入反应为： 子。这些离子倾向于