【SoCVista】2007年度国际半导体技术发展路线图摘要介绍.pdf

2007年国际半导体技术发展路线图摘要介绍 2007年版的国际半导体技术发展路线图，是ITRS面世之后的第5次全面修订，于2008年2月正 式在世界范围内发布其最后定稿。本文将向读者介绍本版路线图一些新的重要理念，并对未来十 五年内半导体行业面临的严峻挑战进行了汇总。 四十年来，半导体工业最明显的特征之一，就是它的产品的更新换代非常迅速。绝大部分的 改进和提高都是由一个重要特征表示的，即：制造集成电路的最小尺寸可以不断地呈指数性地迅 速缩小。显然，我们最常引用的发展趋势就是摩尔提出来并以他的名字命名的“摩尔定律”。对 于社会来讲，最为重要的发展趋势是降低单位功能的成本，使人们可以享用到更多的计算机、电 子通讯产品和消费电子产品，从而大幅度提高了劳动生产率和人们的生活质量。 自从集成电路诞生的那一天起，就有一个基本的假设：微电子器件可以继续按比例缩小并进 而降低单位功能的成本，同时扩展半导体集成电路的市场。在高度竞争的半导体市场，从业者无 不思考着这样一个问题：究竟需要研发出什么样的技术才能继续沿着摩尔定律指引的方向前进？ 为了回答这个问题，美国半导体工业协会（the Semiconductor Industry Association， SIA）发起编写了美国国家半导体技术发展路线图（National Technology Roadmap for Semiconductor，NTRS），共发表了1992年、1994年和1997年三个版本。在1998年，由美国半导 体工业协会提议，邀请了欧洲、日本、韩国和台湾等国家和地区的人士参加，对路线图进行了更 新，最终形成了1999年的第一版国际半导体技术发展路线图（The International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS）。在此之后，国际半导体技术发展路线图在每偶数年份进 行更新，每单数年份进行全面修订。ITRS的整体目标是提供被工业界广泛认同的对未来十五年内 研发需求的最佳预测。因此，对公司、研发团体和政府都有指导作用。路线图对提高各个层次上 研发投资的决策质量都有重要意义，并且帮助将研究方向引导至最需要突破的领域中去。 1. 发展的两个重要方向：“More Moore ”与“More Than Moore ” 这两个发展的重要方向,在2007年的修订过程中讨论,可以说是更加明确了. 传统上看，国际半导体技术发展路线图主要专注于CMOS（互补金属氧化物硅）技术的按 比例缩小。然而，从2001年版的ITRS开始，我们遇到了这样的挑战：即使是对CMOS工艺按比例缩 小的最乐观的估计也会遇到麻烦，比如MOS管的沟道长度能否小于9纳米这样的水平？同样，对半 导体工业界的绝大多数人士来说很难想象目前工艺设备和工厂成本的发展趋势还能继续支撑15 年！因此，路线图必须要考虑“后CMOS器件”问题。对这些器件来说，路线图就更加多种多样， 范围包括从大家较为熟悉的非平面CMOS器件到更新奇的器件，例如自旋器件等。无论是CMOS技术 的延伸，还是更为激进的新方法，后CMOS技术必须要进一步降低单位功能的成本，并提高集成电 路的性能。此外，产品的性能不仅随器件数量而提升，还与由设计和工艺选择相关的一系列复杂 参数有关。这样，新的技术可能不仅会包括新器件，还包括制造方法的彻底革新。 微处理器、存储器和逻辑器件需要基于硅的CMOS技术。最小尺寸的进一步按比例缩小，使 得越来越多的晶体管可以集成到一个芯片中，正如摩尔定律所描述的那样。这样的系统级芯片 （System-on-chip，SoC）的基本功能是数据存储和数字信号处理。然而，很多功能性的需求， 例如功耗、通信带宽（例如RF）以及其它很多功能性需求，例如由无源器件、传感器和启动器件 实现的功能，以及生物功能等，都无法实现摩尔定律那样的按比例缩小。在很多这种情况下，需 要使用非CMOS的解决方案。SoC和SiP未必会是你死我活的相互竞争。在未来，将基于CMOS的技术 和非CMOS的技术集成在一个封装内（System-in-package，SiP），会变得越来越重要。SoC和SiP 可以实现互补共存，所以它们未必是相互竞争的技术。最初由非CMOS实现的技术，可能会在后期 和基于核心CMOS技术集成在一起形成混合技术实现CMOS SoC。这样，在SoC和SiP之间以及内部的 系统级功能划分很可能会随着时间而动态变化。这将需要跨学科领域内的创新，例如纳米电子器 件、纳米热机械器件、纳米生物学等。对于SiP应用，封装将成为一个功能性元件