宽谱光源对cmos阵列电串扰的影响-红外与激光工程.pdf

第46卷第1期 红外与激光工程 2017年1月 Vol.46No.1 InfraredandLaserEngineering Jan.2017 宽谱光源对CMOS 阵列电串扰的影响 1 2 1 赖莉萍 ，付 博 ，张蓉竹 (1. 四川大学 电子信息学院，四川 成都 610064 ； 2. 中国工程物理研究院流体物理研究所，四川 绵阳 621900) 摘 要院CMOS 阵列探测器中，像素单元间的串扰会影响其成像质量。为了解不同光源对CMOS 电串 扰的影响，针对CMOS 图像传感器的电串扰特性建立了一个分析模型，结合CMOS 图像传感器的工 作原 定量计算了单色光、宽谱光源入射条件下的电串扰特性。分析结果表明CMOS 图像传感器的 电串扰随单色光波长、宽谱光源谱宽和中心波长的增大而增大，但中心波长与单色光波长相同的宽谱 光源，其对电串扰的影响大于单色光。辐照功率为600滋W，单色光波长为 1064nm，电串扰大小约为 50.611mV；宽谱光源中心波长为1064nm，谱宽为400nm 时，电串扰的大小约为50.914mV，相比于 单色光电串扰增加了约0.303mV。 关键词院宽谱光源； 阵列探测器； CMOS 图像传感器； 电串扰 中图分类号院TN211 文献标志码院A DOI院10.3788/IRLA201645.012000 Effect ofbroadband sourcesonelectricalcrosstalkof CMOSarray 1 2 1 Lai Liping, Fu Bo, Zhang Rongzhu (1. School of Electronics and Information Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China; 2. Institute of Fluid Physics, China Academy of Engineering Physics, Mianyan 621900, China) Abstract: The crosstalk between the pixel units is the key parameter for the imaging quality of CMOS array detector. The mathematical analysis model of the electrical crosstalk was established in order to explore the influence of different light sources on the electrical crosstalk of CMOS. Furthermore, the characteristics of electrical crosstalk under the illumination of monochromatic light and broadband sources were also numerically simulated. The results show that, the electrical crosstalk increases with the increase of the wavelength of monoch