高职 电子信息专业 模拟电子技术课件 第二章 半导体三极管及其应用.pptVIP

2.2.2三极管的主要参数 (3)温度对发射结电压VBE的影响：和二极管的正向特性一样，温度每升高1oC，|VBE|约减小2~2.5mV。 因为，ICEO =（1+ β ）ICBO ，而IC = β IB+（1+ β ）ICBO，所以温度升高使集电极电流IC升高。 换言之，集电极电流IC随温度变化而变化。 2.2.3 PNP型三极管 1．由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,称为PNP型三极管。 也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管。 　　PNP型三极管发射极电位最高,集电极电位最低,UBE0。 2.2.3 PNP型三极管 2．三极管导通时： IE=（放大倍数+1)*IB 和ICB没有关系。 ?  3．PNP的BJT的共发射极特性曲线 2.2.3 PNP型三极管 图2-3 PNP的BJT的共发射极特性曲线 2.3 场效应三极管 2.3.1 场效应管的分类 2.3.2 场效应管的结构及特性 2.3.3 场效应管的主要参数 2.3.1 场效应管的分类 场效应管按结构的不同可分为结型和绝缘栅型； 从工作性能可分耗尽型和增强型； 所用基片（衬底）材料不同，又可分P沟道和N沟道两种导电沟道。 2.3.1 场效应管的分类 因此，有结型P沟道和N沟道，绝缘栅耗尽型P沟道和N沟及增强型P沟道和N沟六种类型的场效应管。它们都是以半导体的某一种多数载流子（电子或空穴）来实现导电，所以又称为单极型晶体管。 在本书中只简单介绍绝缘栅型场效应管。 2.3.2 场效应管的结构及特性 1.N沟道增强MOS型管 结构 图2-4是Ｎ沟道增强型MOS管的结构示意图。 2.3.2 场效应管的结构及特性 图2-4 N沟道增强型MOS管的结构 2.3.2 场效应管的结构及特性 (2) 工作原理 如果在栅源之间加负电压，UGS所产生的外电场就会削弱正离子所产生的电场，使得沟道变窄，电流ID减小;反之，电流ID增加。 故这种管子的栅源电压UGS可以是正的，也可以是负的。改变UGS，就可以改变沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。 2.3.2 场效应管的结构及特性 图2-5 N沟道增强型MOS管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 2.3.2 场效应管的结构及特性 (3) 输出特性 输出特性是指VGS为一固定值时，ID与VDS之间的关系，即 （2-7） 有导电沟道 转移特性曲线 无导电 沟道 开启电压UGS(th） UDS UGS/ ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 2.3.2 场效应管的结构及特性 图2-6 N沟道增强型MOS管的特性曲线 2.3.2 场效应管的结构及特性 (4) 转移特性 转移特性是指VDS为固定值时，ID与VGS之间的关系，表示了VGS对ID的控制作用。即： （2-9） 2.3.2 场效应管的结构及特性 由于VDS对ID的影响较小，所以不同的VDS所对应的转移特性曲线基本上是重合在一起的，如图2-6所示。这时ID可以近似地表示为： （2-10） 2.3.2 场效应管的结构及特性 2.Ｎ沟道耗尽型MOS管 Ｎ沟道耗尽型MOS管的结构与增强型一样，所不同的是在制造过程中，在sio2绝缘层中掺入大量的正离子。 当VGS=0时，由正离子产生的电场就能吸收足够的电子产生原始沟道，如果加上正向VDS电压，就可在原始沟道的中产生电流。 其结构、符号如图2-7所示。 2.3.2 场效应管的结构及特性 图2-7 N沟道耗尽型MOS管的结构和符号 （a）结构;（b）图形符号 2.3.2 场效应管的结构及特性 图2-8 N沟道耗尽型MOS管特性 （a）输出特性曲线 2.3.2 场效应管的结构及特性 输出特性曲线。N沟道耗尽型MOS管的输出特性曲线如图2-8（a）所示，曲线可分为可变电阻区、恒流区（放大区）、夹断区和击穿区。 2.3.2 场效应管的结构及特性 转移特性曲线。N沟道耗尽型MOS管的转移特性曲线如图2-8（b）所示。从图中可以看出，这种MOS管可正可负，且栅源电压UGS为零时，灵活性较大。