CMOSIC小尺寸器件的二级效应.pdf

第五节 小尺寸器件的二级效应 1 短沟效应 低漏偏压时电荷分享引起的阈值电压下降 高漏偏压时的漏致势垒降低效应 低漏偏压时电荷分享模型 V QBm xj  2xdm  ∆ − ⋅ 1+ −1 T Cox L  xj  高漏偏压时电荷分享模型 QBm xj  2xsd   2xdd  ∆ − ⋅  + −    V + + − 1 1 1 1 T Cox 2L  xj   xj      2ε ε 2ε ε 0 si ( − ) 0 si ( − + ) x V V x V V V sd bi BS , dd bi BS DS qN A qNA 漏致势垒降低(DIBL)效应 (Drain Induced Barrier Lowering) ∆V V (V ) −V (V ≈0) −σV T T DS T DS DS ( + ) ε ε σ σ V 0 si 0 1 SB σ , m 3,σ1 0 m πC L ox 阈值电压随漏电压的变化 阈值电压随沟道长度的变化 最小沟道长度的限制 1 3 [ ( )2 ] 1 3 L ≅0.4 x d W +W 0.4γ min j ox S D 1 3 [ (