讲能带结构-固体物理与新材料-已.pptVIP

采用光子晶体技术 （3）、LED封装： 工序：装架、 键合、封装、 等 国内绝大数公司从事LED封装和应用产品生产 外延片生长和芯片制备产业薄弱 △§4.5 半导体器件 p-n结的适当组合可以作成具有放大作用的晶体三极管（trasistor）和其他一些半导体器件。 集成电路 大规模集成电路 超大规模集成电路 晶体管 （ 1947 ） （1962 ） （80年代 ） 103 105 甚大规模集成电路 巨大规模集成电路 107 109 （70年代 ） （90年代 ） （现在） 晶体管的发明 1947年12月23日，美国贝尔实验室的半导体小组做出世界上第一只具有放大作用的点接触型晶体三极管。 1956年小组的三位成员获诺贝尔物理奖。 巴丁 J.Bardeen 布拉顿 W.H.Brattain 肖克利 W.Shockley 每一个集成块（图中一个长方形部分）约为手指甲大小，它有300多万个三极管。 INMOS T900 微处理器 同质结激光器 — 由同种材料制成的p-n结 半导体激光器分两类： 异质结激光器 — 由两种不同材料制成的 p-I-n §4.6 半导体激光器（补充） 半导体激光器是光纤通讯中的重要光源，在创建信息高速公路的工程中起着极重要的作用。 （重掺杂） 结（ I为本征半导体） 重掺杂 p n 满 带 空 带 p n 满 带 空 带 普通掺杂 1. 同质结激光器 加正向偏压V ? 粒子数反转。 p n 阻挡层 E内 - + + - + - + - + - Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - + + + + p n 满 带 空 带 eU0 p n 满 带 空 带 e(U0-V) 电子空穴复合发光， 由自发辐射引起受激辐射。. 解理面 p-n结 p-n结 它的两个端面就相 当于两个反射镜， 光振荡并利于选频。． 的反射系数， 激励能源就是外接 电源（电泵）。 使电子空穴的复合不断进行，维持激光的输出。 p-n结本身就形成 一个光学谐振腔， 它提供正向电流， 适当镀膜达到所要求 可形成 解理面 p-n结 核心部分： p型GaAs n型GaAs 典型尺寸（?m）： 长 L= 250 - 500 宽 W = 5 - 10 厚 d = 0.1- 0.2 GaAs同质结半导体激光器 2. 异质结激光器 作为概念上的过渡，先介绍 同质p-I-n结。 同质结的缺点是需要重掺杂，且光损耗大。 加正向偏压实现粒子数反转。 需要电压较高。 导带 禁带 价带 p I n p I n - - - - - - - + + + + + + E内 U0 导带 禁带 价带 三块半导体 紧密接触，形成 p-I-n 结 I n p （本征） + - p I n E内 E外 异质p-I-n结激光器： Ga1-x Alx As GaAs Ga1-x Alx As 加正向偏压后， 很容易实现粒子数反转。 GaAs和GaAlAs,晶格常数基本相同，禁带宽度不同，折射率不同 紧密接触, 形成 p-I-n 结 导带 禁带 价带 p I n 导带 禁带 价带 U0 I n p p I n - - - - - - - + + + + + + E内 + - p I n E内 E外 （2）GaAs的折射率比两侧高5%，可形成全 实际使用的都是异质结激光器。 异质结激光器的优点： （1）无须重掺杂； （3）阈值电流密度低，可在室温下连续工作。 反射，把激光束限制在激活区内； 半导体激光器的特点： 功率可达 102 mW 效率高 制造方便 成本低 所需电压低（对GaAs只需1.5V ） 体积小 极易与光纤接合 电能直接变成光能 寿命长 可达百万小时 用于激光通讯、信息储存、处理和显示器件、测距、制导、夜视等。 * 则B 原子浓度～1018 cm? 3 np= 1.5×1010 室温下： 本征激发 杂质激发 导带中电子浓度 nn=1.5×1010cm? 3 满带中空穴浓度 设 Si中B的含量为10－4 + 1018 = 1018 cm? 3 空穴是多数载流子， 电子是少数载流子。 空穴浓度np ～ 受主杂质浓度na 在p型半导体中： Si 原子浓度～1022 cm? 3 3. n型化合物半导体 例如，化合物GaAs中掺Te，六价的Te替代五价的As可形成施主能级，成为n型GaAs杂质半导体。 4. p型化合物半导体 例如，化合物 GaAs中掺Zn，二价的Zn替代三价的Ga可形成受主能级，成为p型GaAs杂质半导体。 三. 杂质的补偿作用 实际的半导体中既有施主杂质（浓度nd