透射电镜的基本成像方式及原理.pptVIP

* HNU-ZLP * 样品表面的凹凸形态和附着物 * HNU-ZLP * 硅的晶格排布 * HNU-ZLP * 金刚石的晶格排布 * * * * * * * 电子显微镜由于它特殊的系统结构，使其在使用上也有一定的限制，例如：它不能像光学显微镜那样可以直接地观察液体样品，所以它在样品制备方面有着一些特定的要求，我们需要根据不同的样品采取不同的制样方法，以适合于电镜分析的要求，最终达到良好的电镜分析目的 HNU-ZLP * HNU-ZLP * C、质厚衬度原理 质厚衬度是由试样对电子的散射引起的,散射是指入射电子穿透试样时与试样原子中的电子或原子核碰撞至使穿出试样时偏离了原来的方向. 弹性散射——穿过试样后电子能量没有损失或基本没有损失的，偏离角度小的； 非弹性散射——穿过试样后电子能量有较大损失的，偏离角度大的。 质厚衬度指穿过样品且散射角度小的那些电子即弹性散射电子所形成的衬度。 * HNU-ZLP * 散射衬度用原子散射截面 表示： 一个电子被试样原子散射后偏转角等于或大于光阑孔径半角α 的几率。 像衬度是图像上不同区域间明暗程度的差别。 * HNU-ZLP * 样品对电子束的散射随样品的原子序数增加而增加；样品越厚，电子受到散射的机会越多， 样品中任意两个相邻的区域由于组成元属不同或由于厚度不同，均会对电子产生不同程度的散射， 当散射电子被物镜光阑挡住不能参与成象时，样品中散射强的部分在像中显得较暗，而样品中散射较弱的部分在像中显得较亮，形成像的衬度。 散射衬度（质厚衬度） * HNU-ZLP * 由于试样上各部位对电子的散射能力不同所形成的衬度称为散射衬度（质厚衬度），要求试样厚度100~200nm 主要用于分析复型成象和粉末试样成象。 * HNU-ZLP * 散射衬度的形成 物镜光阑放在物镜的后焦面上，光阑孔与透镜同轴； 散射角大的电子被光阑挡住，只有与光轴平行透射电子及散射角很小的那一部分电子可以通过光阑孔； 若入射电子束强度为I0，照射在试样的A点及B点 。 试样 电磁透镜 物镜光阑 IA I0 I0 A B B(IB) A(IA) IB * HNU-ZLP * 试样 电磁透镜 物镜光阑 IA I0 I0 A B B(IB) A(IA) IB A和B是同一种材料,衬度取决于厚度差; A和B不是同一种物质组成,衬度取决于厚度差和原子序数差 * HNU-ZLP * 试样 电磁透镜 物镜光阑 IA I0 I0 A B B(IB) A(IA) IB 若A点物质比B点物质对电子的散射能力强，则透射电子束IAIB，在荧光屏上A’点比B’点暗。试样上各处散射能力的差异变成了有明暗反差的电子图像 * HNU-ZLP * 当使用物镜光阑或缩小物镜光阑孔径时，会有更多的散射电子被光阑挡住不能成相，提高了图象的衬度。 图a的衬度高且图象清晰。 * HNU-ZLP * * HNU-ZLP * 质厚衬度公式 以强度为I0的电子束照射在试样上，经一次散射后参与成象的电子束强度I为： 式中 N0—阿佛加德罗常数 A—原子量 ?—密度 t— 厚度 ?a —原子散射截面 * HNU-ZLP * 图象上相邻点的反差决定于成象电子束的强度差，则衬度为： IA、IB为相邻点的成象电子束强度 * HNU-ZLP * 由于透射试样很薄，?（Qt）?1，则： 这就是质厚衬度公式---衬度取决于样品的厚度差 * HNU-ZLP * 图象衬度与试样参数的关系（1） 与原子序数的关系：物质的原子序数越大，散射电子的能力越强，在明场象中参与成象的电子越少，图象上相应位置越暗。 与试样厚度的关系：设试样上相邻两点的物质种类和结构完全相同，只是电子穿越的厚度不同，则 图象衬度反映了试样上各部位的厚度差异，在明场象中，暗的部位对应的试样厚，亮的部位对应的试样薄。 * HNU-ZLP * 散射的衬度与电子被试样散射的程度有关。 （1）厚度一定时，试样的密度大（或原子序数大），电子被试样散射的机会多，散射的角度大。 （2）试样的厚度大，电子在试样中通过的路程越长，被散射的程度大，散射角大。 电子被散射的程度与试样的密度、原子序数、厚度有密切关系，也即与试样的质量，与试样的厚度有密切关系，故散射衬度又称之为质厚衬度。 * HNU-ZLP * 图象衬度与试样参数的关系（2） 与物质密度的关系：厚度一定时，试样的密度大（或原子序数大），电子被试样散射的机会多，散射的角度大。