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高级维修电工理论培训教材 ………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………….. §1．半导体三极管： 一．基本结构：三层半导体（N、P、N或P、N、P）；三个电极（基极B、发射极E和集电极C）；两个PN结（发射结、集电结）。 1．类别： 按频率可分为：高频管和低频管 按功率可分为：大功率管、中功率管和小功率管 按半导体材料可分为：硅管和锗管 按结构可分为：NPN型和PNP型。 目前国产的NPN型多为硅管（3D系列），PNP型多为锗管（3A系列）。 2．放大器中晶体管的三种接线方式：以NPN型为例 （1）共发射极接法：将发射极作为输入与输出的公共端。如下图（a） （2）共集电极接法：将集电极作为输入与输出的公共端。如下图（b） （3）共基极接法：将基极作为输入与输出的公共端。如下图（c） 三种接法的性能比较见P.31表3-1 3．特性曲线： （1）输入特性曲线：是当集电极—发射极电压UCE为常数时，基极回路中基极电流IB与基极—发射极电压UBE之间的关系曲线。即： IB＝f(UBE)|UCE=C 如下图（a）所示： 从图（a）中可以看出：三极管的输入特性曲线也有一段死区，只有在发射结电压大于死区电压时，三极管才会导通，出现IB，硅管的死区电压约为0.5～～～～°截止区：IB＝0以下的区域。对NPN型硅管而言，当UBE＜≤0，此时集电结和发射结都处于反向电压下，称为反向偏置。但是由于温度影响，集电极回路中仍有很小的电流ICEO(称为穿透电流)流过。硅管的穿透电流很小，常温下在微安以下。 特点：集电结和发射结都处于反向偏置。 2°放大区：当发射结正向偏置时，曲线较平坦的部分是放大区。对硅管来说，当UBE＞≈IE,IB很小。此时IC只随着IB而改变，和UCE的大小基本无关。从特性曲线和电流形成过程都可以看出，IC的变化比IB的变化大得多，晶体管具有很强的电流放大作用。 特点：发射结正偏而集电结反偏。 3°饱和区：如果IC随IB增加时，使UCE下降为UCE≤UBE，发射结和集电结都将处于正向偏置，此时如果IB再增大，IC也不会按IC＝βIB增加，晶体三极管失去放大作用，这种情况称为饱和。我们把UCE＝UBE的状态称为临界饱和，把UCE＜～～～～rbe： rbe＝300＋（1＋β）26mV/IeQmA B．求出交流负载电阻RL′： RL′＝ Rc∥RL C．求输入电阻Ri： Ri＝Rb1∥Rb2∥rbe ≈ rbe （∵Rb1 ＞＞rbe ，Rb2 ＞＞rbe ， ∴Ri ≈ rbe） D．求输出电阻R0：R0 ≈ Rc 其中：RL′＝ Rc∥RL “－”号表示UO与Ui反相位。 ☆ 计算放大电路的静态工作点时，应考虑电路的名称正确的是 A、C 。 A．直流通道 B．交流通道 C．直流电路 D．交流电路 ☆ 估算放大电路的电压放大倍数，原则上应考虑电路的名称正确的是 B、D 。 A．直流通道 B．交流通道 C．直流电路 D．交流电路 四．图解分析法：运用三极管的输出、输入特性曲线簇，通过做图的方法，直观的分析放大电路性能的方法，称为图解分析法。 1．静态分析：P．138图9-4为三极管的输出特性曲线。即图（a） （1）直流负载线：电路如P．137图9-3所示，即图（b）由Uce＝UGB－IcRc 知，当Ic＝0时，Uce＝UGB，当Uce＝0时，Ic＝UGB／Rc，连接UGB与 UGB／Rc两点所作的直线称为直流负载线。见P．138图9-4，即图（b） （因为它是在静态时得到的而且又与集电极负载电阻Rc有关） 其斜率为tgα＝1／Rc。 （2）静态工作点Q：直流负载线与三极管输出特性曲线的交点即为静态工作点。它与基极电流I b的大小有关。 Q点在两个坐标轴上所对应的点即为其静态值ICQ与UCEQ，再加上IbQ ，即为Q值。 2．动态分析： （1）交流负载线：放大器加入交流信号后，交流信号迭加在直流信号上，如P．138图9-5所示。 当电路接入负载RL后，反映交流电压uce、交流电流ic之间关系的直线称为交流负载线。其斜率为tgα′＝1／RL′。（而RL′＝ Rc∥RL） （ 2 ） 直流负载线与交流负载线的比较：见图（b） ∵RL′＝ R