微电子工艺 氧化工艺.pdfVIP

第二章 氧 化 本章内容 二氧化硅的性质 二氧化硅的用途 热氧化原理（Deal-Grove模型) 热氧化工艺（方法）和系统 热氧化工艺的质量检测 1、二氧化硅的性质 1.1 二氧化硅的结构 二氧化硅网络：一个硅原子被4 个氧原子组成四面体单元。 ——一种无定型的玻璃状结构 软化温度 (1700℃以上)。 22 3 分子数密度CSiO2=2.2×10 /cm 桥键氧和非桥键氧 在二氧化硅膜中，有的氧原子与两个硅原子键合，称 为桥键氧。只与一个硅原子键合的氧原子，称为非 桥键氧。 二氧化硅膜主要由任意方向的多面体网络组成，而两 者的比例影响着网络结构的强度、密度等性质，桥 键氧越多则粘合力越强、网络强度越大、二氧化硅 膜越致密。 干氧氧化的二氧化硅膜比湿氧和水汽氧化的二氧化硅 膜都致密，就是因为干氧氧化的二氧化硅膜中桥氧 键多。 1.2 二氧化硅的性质 1) 、物理性质 2 密度：无定型SiO 密度2.15～2.25g/cm 结晶型SiO 密度 2 2 2.65g/cm2 折射率：密度大的薄膜具有大的折射率 电阻率：与制备方法以及所含杂质数量等因素有关(SiO 电阻 2 率 1010 W.cm，高温干氧氧化的电阻率达1016 W.cm ） 6 介电强度：单位厚度的SiO 所承受的最小击穿电压10 ～ 2 7 10 V/cm 介电常数：相对介电常数为3.9 2)、化学性质 酸性氧化物，是硅最稳定的氧化物，不溶于水 耐多种强酸，但能与氢氟酸反应： 第一步： SiO + 4HF= SiF +2H O 2 4 2 第二步： SiF +6HF= H [SiF ] 4 2 6 总的反应： SiO + 6HF= H [SiF ] +2H O 2 2 6 2 生产中这一性质对二氧化硅膜进行腐蚀 在一定温度下，能和强碱（如氢氧化钠、氢氧化钾）反应， 也有可能被铝、氢等还原。 2、二氧化硅的用途 对杂质扩散的掩蔽作用 对器件的表面保护和钝化作用 用于器件的绝缘隔离层 用作电容器的介质材料 用作MOS器件的绝缘栅材料 用于其它半导体器件 2.1 对杂质扩散的掩蔽作用 器件制造过程中的掺杂是选择（定域）掺杂，那么 不需要掺杂的区域就必须进行保护而不被掺杂。 由于某些元素（如硼、磷、砷、锑等）在二氧化硅 中的扩散速度比在硅中慢很多，可以利用二氧化硅作为 扩散掩蔽层，如图所示。 但是也有一些情况相反，如铝、镓和铟等 2.2 对器件的表面保护和钝化作用 无论采取什么样的措施，器件受污染的影响总是不可避 免的。SiO 层在防止硅器件被污染方面起到了一个非常重要 2 的作用。原因是SiO 密度非常高、非常硬，因此硅表面的