微电子概论第二章2-4节_双极晶体管.pdfVIP

微 电子概论 西安电子科技大学 董刚 (gdong@mail.xidian.edu.cn) 第2章 集成器件物理基础 2.1半导体及其能带模型 2.2半导体的导电性 2.3 pn结和晶体二极管 2.4 双极型晶体管 2.5 JFET和MESFET器件基础 2.6 MOS场效应晶体管 2.4 双极晶体管 2.4.1 双极晶体管的直流放大原理 2.4.2 影响晶体管直流特性的其他因素 2.4.3 晶体管的击穿电压 2.4.4 晶体管的频率特性 2.4.5 晶体管的功率特性 2.4.6 晶体管模型和模型参数 2.4.1 双极晶体管的直流放大原理 1. 双极晶体管结构 (1) 双极晶体管基本结构 (2) 双极晶体管偏置模式和在电路中的基本连接方式 2.4.1 双极晶体管的直流放大原理 1. 双极晶体管结构 (3)双极晶体管实际结构和杂质分布 下面针对正向放大状态下的均匀杂质分布的npn晶体管 （共基极连接） 分析晶体管放大原理以及其放大特性与晶体管结构参数的关系。 2.4.1 双极晶体管的直流放大原理 pn结隔离双极集成电路中的双极晶体管结构示意图 2.4.1 双极晶体管的直流放大原理 2. 双极晶体管直流电流传输过程 (1) 电流传输过程 发射结注入 （发射）-基区输运-集电结收集 发射结正偏 n型发射区将向p型基区注入电 子，同时基区向发射区注入空穴发射区掺杂明 显高于基区掺杂，发射极电流主要由高掺杂发射 区向基区注入(或称为发射) 的电子电流组成。 注入到基区的电子在基区靠eb结边界处积累， 而bc结反偏，使得基区靠bc结边界处电子浓度近 似为0 基区中少子电子形成浓度梯度少子电 子通过扩散运动通过基区基区通常很薄，注入 到基区的电子在基区复合很少，绝大部分都能通 过基区 bc结反偏，到达bc结边界处的电子被扫 向集电区。 反偏bc本身流过一个反向饱和电流ICBO 2.4.1 双极晶体管的直流放大原理 2. 双极晶体管直流电流传输过程 可得双极晶体管内部电流传输示意图 (2) 端电流组成 发射极电流 I ＝I ＋I E nE pE InE是发射区通过eb结注入到基区的电子电流 IpE是基区通过eb结注入到发射区的空穴电流 集电极电流IC ＝InC ＋ICBO InC是InE 中通过基区到达集电结的电流 显然InC ＝(InE －IRB) ，其中IRB是在基区中复合的电流 ICBO是流过反偏bc结的反向饱和电流 （从集电极流向基极） 由I ＝I -I 可得 B E C I ＝I ＋I －I B pE RB CBO 2.4.1 双极晶体管的直流放大原理 3. 双极晶体管直流电流增益 (1) 共基极直流电流增益α0 为了表示晶体管将输入电流I 变为输出电流I 的能力，引入共基极直 E nC 流电流增益 α =I /I 0 nC E (2) 注入效率γ与基区输运系数β* 将α 定义式适当变换，并引入两个参数γ和β* 0 γ ＝InE/IE ＝InE/(InE ＋IpE) 表示注入到基区的电流InE在发射极总电流IE 中 所占的比例，反映了发射区向基区注入电流的效率，称为注入效率。 β*＝InC/InE= （InE －I