光敏电阻制备及性能测试.docx

ZnO紫外光敏电阻器的制备及性能摘要：ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料，可用于制作高性能的紫外探测器。本文利用ZnO的一些性质制成了光敏电阻器，并对电阻器的一些性能进行了测试。关键词：光敏电阻，制备，性能，改进。引言光敏电阻由于体积小、工艺简单、暗光电阻比高和反应速度快等优点被广泛应用于通信、自动探测和光电控制等领域。作为地球的主要福射源,太阳的大部分能量覆盖在紫外(UV)、可见(Visible)和红外(IR)三个区域。而波长小于287 nm的光由于绝大部分被臭氧层吸收殆尽而无法到达地球,因此通常将波长在小于287 nm的区域称为日盲或者太阳盲(Solar-blind)区域。日盲光敏电阻器的特点在于可以不受太阳光的干扰,具有较高的准确度,是一种真正意义的全天候的高效率光敏器件,因此具有独特的应用价值。因此对于宽禁带材料的研究引起越来越多科研工作者的兴趣,例如SiC、金刚石以及通过能带工程获得的AlxGa1-xN和MgxZn1-xO等三元四元合金的研究。其中AlxGa1-xN的理论带隙可在3.4-6.2 eV之间调制,但是由于热匹配和晶格匹配衬底的缺乏限制了其进一步发展,而MgxZn1-xO合金薄膜的带隙理论调节宽度较宽,是继AlxGa1-xN之后的一个重要日盲光敏材料。W. I. Park和X. L. Du分别于2001年和2009年报道了(0001)面蓝宝石衬底上利用缓冲层