5-第1章——场效应管.pptVIP

HW: P69 1.5 1.6 P70 1.9 1.10 1.11 P71 1.12 * * 第一章 常用半导体器件 ——场效应管 1.4 场效应管(单极型三极管) 本节要介绍的场效应管是依靠一种极性的载流子(多子)飘移参与导电，所以称单极型三极管。又因为它是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的，所以又称场效应管。它是电压控制电流源(VCCS)器件。 它的输入阻抗高． 1.4.1 场效应管FET(Field Effect Transistor) 的类型 按其结构 绝缘栅型 结型 按其工作状态 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 1.4.1 结型场效应管(耗尽型) 一、结构示意图（以N沟道为例） N P 耗尽层 G S D 两个PN结夹着一个N沟道。三个电极： G：栅极 Gate D：漏极 Drain S：源极 Source 结构和符号（以N沟道为例） G S D VGG (uGS) 二、结型场效应管的工作原理 1. 栅源电压对沟道的控制作用 在栅源间加负电压VGG = 0，令uDS =0 (2)当│uGS│↑时，PN结反偏，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 (3)当│uGS│增加到一定值时 ，沟道完全合拢。沟道电阻无穷大 夹断电压UGS(off)—使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压uGS。 (1)当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。沟道电阻最小 UGS(off)0 2.漏源电压对沟道的影响作用 (1)当VDD=0时， iD=0。 (2) VDD↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔(xie-) 形分布。 (3)当VDD ↑，使uGD=uG S? uDS=UGS(off)时，在靠漏极处夹断——预夹断。 预夹断前: VDD↑→iD ↑。 预夹断后: VDD↑→iD 几乎不变。 (4)VDD再↑，夹断点下移。 在漏源间加电压VDD =0 ，令uGS =0 由于uGS =0，所以导电沟道最宽。 （1）输出特性曲线： iD=f（ uDS ）│UGS=常数 3.结型场效应三极管的特性曲线 饱和区内： △ iD /△uGS ≈常数= gm gm —低频跨导 １可变电阻区：预夹断前。 ２饱和区（恒流区）：预夹断后。 ３夹断区（截止区）。 即： △ iD = gm △ uGS —放大原理ＶＣＣＳ （2）转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│UDS=常数 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =0 -1V -2V -3V -4V uDS / V iD /mA 4 3 2 1 iD /mA uGS / V 0 -1 -2 -3 -4 UGS（off） 饱和漏极电流IDSS UGS(off) uGS iD=IDSS(1? )2 （UGS（off）?uGS?0）N 沟道 UDS =10V 只在恒流区内 只适合于恒流区内 IDSS: uGS=0时的iD 直流模型 1.4.2 绝缘栅场效应管(MOS管) SiO2 结构示意图 P型硅衬底 源极S 栅极G 漏极D 衬底引线B N+ N+ 符号 1. 结构和符号 一、增强型绝缘栅场效应管（以N沟道为例） D B S G N沟道 D B S G P沟道 G(Metal)-SiO2 铝 SiO2 结构示意图 P型硅衬底 耗尽层 衬底引线B N+ N+ S G D UDS iD = 0 D与S之间是两个 PN结反向串联， 无论D与S之间加 什么极性的电压， 漏极电流均接近 于零。 2. 工作原理 (1) uGS =0 时 P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 iD 栅极下P型半导 体表面形成N型导电 沟道，当D、S加上 正向电压后可产生 漏极电流iD 。 (2) uGS 变化时 N型导电沟道 N+ N+ UGS UDS P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 iD 栅极下P型半导 体表面形成N型导电 沟道，当D、S加上 正向电压后可产生 漏极电流iD 。 (3) uGS UGS(th) N型导电沟道 N+ N+ UGS UDS 4.uGS为大于UGS(th)的某一值时, uDS对iD的影响 预夹断前 预夹断 预夹断后 可变电阻区 沟道电阻受uGS控制 恒流区 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V iD /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 恒流区 可变电阻区 2 4 5 uGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出