有机场效应晶体管材料及器件研究进展!.pdf

前沿进展 有机场效应晶体管材料及器件研究进展! 刘承斌! ! 范曲立! ! 黄! 维 ! ! 王! 迅 （复旦大学先进材料研究院! 上海! #$$% ） 摘! 要! ! 有机场效应晶体管（’()*+,- .,/012/../-3 3(*+4,43’( ，5678 ）作为新一代半导体晶体管因其广阔的应用前景 和近年来技术上的突飞猛进，使之成为微电子和信息领域科学研究和产品开发中热门的话题之一9 文章概述了有 机场效应晶体管的材料研究、器件制备技术以及有机场效应晶体管在各领域中应用的最新进展9 关键词! ! 有机场效应晶体管，有机半导体，制备技术 !#$% ’($# )$ *+,$)# -).’/--#% %+$0)0%*+0 ： 1%+).0 ，’()#0 ，$’ 2+*#000 :; =/+)2?,+! ! 6@A BC2:,! ! D@AE F/, ! ! F@AE GC+ （!#$%$$’ () *+,-.’+ /-$’0%-1# ，2+- 3%,’0#%$4 ，56-76-%8 #$$% ，96%- ） 340%+#%5 5 5()*+,- .,/012/../-3 3(*+4,43’( （5678 ）*4 * +/H )/+/(*3,’+ ’. 3(*+4,43’(4 *4 I//+ ,JK’(3*+30L -’+4,1/(/1 1C/ 3’ ,4 K’3/+3,*0 *KK0,-*3,’+4 *+1 I(/*M3(’C) ’. 3/-+’0’),/4 ,+ 3/ .,/01 ’. J,-(’/0/-3(’+,-4 *+1 ,+.’(J*3,’+ 9 8/ 4,.3/1 .’-C4 ,+ (/4/*(- ,4 .(’J +’N/0 -/J,-*0 43(C-3C(/4 3’ .*I(,-*3,’+ 3/-+’0’),/49 O(’)(/44 ,+ 3/ )(’H,+) .,/01 ’. 56784 ,4 I/,+) 1,4-C44/1 ,+ 1/3*,09 67 8*+’05 5 5678 ，’()*+,- 4/J,-’+1C-3’(4 ，.*I(,-*3,’+ 3/-+’0’),/4 ! ! 有机场效应晶体管（’()*+,- .,/012/../-3 3(*+2 电流比!’+W !’.. 定义为开W 关比，它与反映载流子迁移 4,43’( ，5678 ）因具有以下几个突出特点而受到研究 能力的场效应迁移率 一起是评价5678 性能的两 ! 人员的极大重视：材料来源广、可与柔性衬底兼容、 个关键指标，两者越高越好9 ［S］ 低温加工、适合大批量生产和低成本等9 它用途广 自SXPY 年报道第一个 5678 以来 ，5678 研 泛，可用于全有机主动显示、大规模和超大规模集成 究得到快速发展，并取得重大突破9 目前，一些有机 电路、记忆组件、传感器、有机激光、互补逻辑电路和 半导体的场效应迁移率和电流开W 关比可与非晶硅 超导材料制备等9 相媲美；高介电常数的有机绝缘体材料为实现全有 5678 按源漏极和半导体层位置有两种结构 机场效应晶体管打下坚实基础；5678 制备技术