SooPAT 大功率MOS器件防止钴污染的方.PDFVIP

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  • 2017-09-27 发布于天津
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大功率器件防止钴污染的方法申请号申请日申请专利权人上海华虹电子有限公司地址上海市浦东新区川桥路号发明设计人缪进征张朝阳张雷主分类号分类号公开公告号公开公告日专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁注本页蓝色字体部分可点击查询相关专利

SooPAT 大功率MOS器件防止钴污染的方 法 申请号:200510111341.7 申请日:2005-12-09 申请(专利权)人上海华虹NEC电子有限公司 地址 201206上海市浦东新区川桥路1188号 发明(设计)人缪进征 张朝阳 张雷

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