第二章-迁移率测量-1-TOF-2012.pdf

第二章 有机半导体材料载流子迁移率测试方法 一、电荷渡越时间法电荷渡越时间法 （（TOF ）） Time of Flight 二、场效应晶体管表征法（FET ） Field Effect Transistor 三、空间电荷受限的电流法（SCLC） Space-Charge-Limited-Current 四、瞬态电致发光 Transient Electroluminescence 一、电荷渡越时间法电荷渡越时间法 （（TimeTime ofof FlightFlight, TOFTOF ）） 11.11、、TOFTOF的早期的早期 TOF mobility 最早被称为 drift （漂流）mobility 被用于测量离子在气体中的迁移率年被用于测量离子在气体中的迁移率 (M.A. Biondi, L.M. Chanin, Phys. Rev. 1954, 94, 910.) 1959年被年被用于测量电电子在液体中的在液体中的迁移率率 (O.H. LeBlanc, J. Chem. Phys. 1959, 30, 1443.) 1960年被用于测量载流子在有机固体中的迁移率 ((R.G. Keppler, Phyys. Rev. 1960, 119, 1226.)) Charge carrier production and mobility in anthracene crystals (R.G. Kepler, Phys. Rev. 1960, 119, 1226.) ChargeCharge carriercarrier productionproduction andand mobilitymobility inin anthraceneanthracene crystalscrystals 1、蒽单晶蒽单晶，尺寸尺寸1-2 mm 2 、2 μs light pulse (Xenon(Xenon flashflash tube)tube) 3、Under 10−5 mmHg 1.2、TOF的近代发展 近代采用了纳秒脉冲激光近代采用了纳秒脉冲激光，测试材料也扩展到薄膜测试材料也扩展到薄膜 原理示意图 直直流流电电压 基本原理 AA 光光电电流流检检测测 11、、纳秒脉冲宽度的激光通过纳秒脉冲宽度的激光通过 透明玻璃和ITO 电极在半导体 薄膜的的表层产生光生电荷 （电子－空穴对） 脉冲激光 22 、某某一电荷在外加偏压作用电荷在外加偏压作用 L 下向金属电极渡越，形成光电 流信号流信号，，记录光电流强度随时记录光电流强度随时 间的变化过程。 金属电极 透明玻璃 半半导导体体薄薄膜膜 ITO透明电极 迁移率迁移率 （（μμ）） ： 空