Ce¨YAG晶体位错的研究.PDFVIP

维普资讯 第 34卷 第 5期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．34 No．5 2005年 10月 JOURNAL OF SYNTHEnC CRYSTALS October．20o5 Ce¨：YAG晶体位错的研究 王召兵 ，张庆礼 ，殷绍唐 ，孙敦陆 ，苏 静 ，张 霞 ，邵淑芳 (1．中国科学院安徽光学精密机械研究所，合肥230031；2．曲阜师范大学激光研究所，曲阜273165) 摘要：本文报导了用中频感应加热提拉法生长ce¨：YAG晶体，直径达45ram。对样品采用不同的化学试剂进行了 时间不等的腐蚀 ，用偏光显微镜观察到不同形貌的位错蚀坑，分析了位错与晶体结构及生长工艺参数等因素之间 的关系。 关键词 ：Ce¨：YAG晶体；提拉法；缺陷；位错；无机闪烁晶体 中圈分类号~0771 文献标识码 ：A 文章编号：1000-985X(2005)05-0861-04 StudyonDislocationofCe¨：YAG Crystal WANGZhao．bing ，ZHANGQing．1．i．，YINShao．tang，SUNDun．1u，SUJing ，ZHANGXia，SHAOShu扣ng (1．AnhuiInstituteofOpticsandFineMechanics，ChineseAcademyofSciences，Hefei230031，China； 2．LaserResearchnIstiutteofQufIINormalUniversity，QufII273165，China) (Received17January2005) A ：rI1legrowthofCe¨ ：YAG singlecrystalbytheCzochralskimehtodwiht medium frequency inductionheatingisreportedinhtispaper．Thesinglecrystalwas45ram indiameter．Thesmaplewas etchedwiht differentetchantsinhtedffierentperiods．Etchpitswiht dffierentpatternswere observed underhtepolarizationmicroscope．’Th erelationsbetweendislocationandstructureofcrystalnadgrowth technicalparma eterwere investigated． Keywords：Ce¨ ：YAG crystal；Czochralskimehtod；defect；dislocation；inorgna icscintillator 1 引 言 闪烁材料在高能物理、医疗成像以及工业和安全检测等领域有广泛应用。ce¨：YAG晶体属立方晶系， 石榴石型结构，空间群是o ．Ia3d，Ce 离子在YAG中取代十二面体位置的Y¨离子。作为闪烁材料，Ce¨： YAG晶体具有热导率大、发光效率高和衰减时间短等优点，可以用作扫描电子显微镜的显示元件，在大规模 集成电路的检测及光电探测方面有重要的应用。 Ce¨：YAG晶体生长过程中产生的缺陷有 ：开裂、气泡、包裹物、核心、生长条纹及位错等。晶体中的缺 陷会降低材料的发光效率，并影响光学质量 ]，因此，晶体缺陷的研究具有重要意义。Ce¨：YAG晶体中位 错的密度大小和分布将引起应力双折射效应并影响晶体的发光性能 ，对Ce ：YAG晶体的位错进行研究 将有利于改进和完善生长工艺、提高晶体质量。 腐蚀法是一种破坏性检验，对于非晶、多晶、镶嵌块、表面潜伤 (直接观察不到的划痕、压痕等)和位错都 可以通过腐蚀显现出来 ]。本文采用HPO 等不同的腐蚀剂对Ce¨：YAG晶体样品进行了不同时间的腐 蚀，研究了位错的形貌、分布及形成原因。 收稿 日