HfO2多型体的弹性慢度和热导率及其各向异性研究.PDFVIP

中国科学: 物理学 力学 天文学 2015 年 第45 卷 第5 期: 054602 《中国科学》杂志社 SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica Astronomica SCIENCE CHINA PRESS 论 文 HfO2 多型体的弹性、慢度和热导率及其各向异性 研究 * 陈志谦, 焦丽娜, 李春梅, 胡萌 西南大学材料与能源学部, 重庆 400715 *联系人, E-mail: chen_zq@ 收稿日期: 2015-01-06; 接受日期: 2015-03-06; 网络出版日期: 2015-04-03 中央高校科研基金资助项目(编号: XDJK2014C008) 摘要 本文运用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势和模守赝势研究了四种晶相 HfO2 的弹性、慢度和热导率及其各向异性, 通过计算得到四种结构的弹性常数、体弹模量、剪切模量、 杨氏模量和泊松比. 根据泊松比和 Pugh 模量比分析了四种材料的键合属性; 根据弹性各向异性分数比 A , A 和A 以及剪切各向异性因子A , A 和A 的计算值, 说明四种晶相HfO 是弹性各向异性的; 又通 B G E 1 2 3 2 过弹性模量的三维立体图形展示了四种晶相 HfO2 的弹性各向异性. 计算得到的声学波速以及不同晶向 上的最小热导率, 显示了四种晶相 HfO2 声学波速和热导率的大小及其各向异性, 并绘出慢度在 XY, YZ 和ZX 平面上的图形. 关键词 第一性原理, 弹性, 各向异性, 慢度, 热导率 PACS: 46.25.Cc, 71.15.Mb, 62.20.D-, 62.65.+k doi: 10.1360/SSPMA2015-00022 1 引言 存存储器设备的运行速度[6,7]. 在选择合适的材料来 代替 SiO2 的探索中, 对于具有高介电常数的材料很 众所周知, SiO2 作为金属-氧化物-半导体场效应 多都被进行了深入的研究. 其中二氧化铪(HfO2) 的介 晶体管 (MOSFET) 的栅介质, 一直是一种非常重要 电常数大约是 25(5 倍于 SiO2), 以及与硅之间热稳定 的功能材料. 对其近四十年的深入研究发现, 随着集 性好等优点, 因此被作为最有价值的候选材料之 成电路规模的不断增大, SiO2 半导体器件的特征尺寸 一[8,9] . 受到一定的限制[1–3]. 目前最有希望解决此问题的途 二氧化铪(HfO2)薄膜因为有较高的硬度、较好的 径是使用高介电常数(高 k)材料替代 SiO2[4,5], 因为在 机械稳定性与热稳定性、优良的介电性能和高激光损 DRAM 技术中, 高介电常数可以通过减小电荷储存 伤阈值而被广泛应用于微电子薄膜、光学薄膜等领域. 量来达到增加记忆内存的目的, 并且还可以改善闪 在不同的条件下, HfO2 的