垂直位移事故中ITER屏蔽包层的电磁场分析.PDFVIP

第30 卷 第3 期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 Vol.30, No.3 2 0 1 0 年9 月 Nuclear Fusion and Plasma Physics Sep. 2010 文章编号：0254−6086(2010)03−0261−06 垂直位移事故中 ITER 屏蔽包层的电磁场分析 康伟山，谌继明，吴继红，王明旭 (核工业西南物理研究院，成都 610041) 摘 要：采用有限元方法计算了垂直位移事故中 ITER 包层系统及周围主要部件的电磁场力和力矩。通过 ANSYS APDL 动态模拟垂直位移事件过程中等离子体电流的形状和大小，并加载外界磁场，计算得到了包括包层 在内的所有导体内部的感应电流分布。通过计算，得到了各个位置的包层模块的力和力矩，可用于评估该事故下 包层系统的安全性。 关键字：ITER ；屏蔽包层；垂直位移事件；电磁场分析 + 中图分类号：TL62 1 文献标识码：A 1 引言 淀到周围部件上，可能会损坏这些部件，而且由于 包层技术是聚变反应堆的核心技术之一，也是 大电流的瞬间熄灭会感应引起很大的环向电场，导 我国加入ITER 计划所要掌握的重要技术。在ITER 致周围的电导体材料部件产生感应电流，感应电流 运行的第二阶段将进行D-T 放电，由此产生14MeV 与外界磁场相互作用，产生的电磁场力和力矩会给 的高能量中子，将对外围、设备和环境等造成危害， 部件造成严重的损坏。本文主要研究垂直位移事件 需要对其进行有效的中子屏蔽。另外，来自聚变装 向下对ITER 包层的电磁场影响，垂直位移事件向 置内部高温等离子体的表面热负荷，以及 14MeV 上与其分析方法类似，为了节约篇幅，本文暂不描 高能量中子在装置内部所引起的核热，都会导致部 述。通常 VDE 情况很复杂，不仅需要考虑外界磁 件温度急剧升高，损坏部件，为此需要对其进行冷 场与等离子体电流产生的磁场，还要考虑真空室和 却。在包层内部有大量径向、极向和环向的冷却通 包层等大部件中感应电流所产生的磁场，另外感应 道，冷却剂以强制冷却方式，带走沉积在包层内的 电流的大小和方向也是无法准确预测，因此解析方 核热。因此，包层作为中子屏蔽和热屏蔽，其重要 法只能大致估算得到量级结果，但很难得到精确 性不言而喻。影响包层寿命的机制有多种，包括由 值。必须引入有限元方法，通过数值计算得到较为 温度梯度引起的热应力[1, 2] ，以及在等离子体事故 精确的结果。 情形下，感应电流所导致的电磁场力和力矩等等。 由于在垂直位移事件过程中，等离子体的形状 在设计包层的时候，必须对这些应力加以分析，以 和电流大小是随时间变化的，这给数值计算带来了 保证其在正常运行与事故情况下的安全性。 很大的困难。如何动态地模拟等离子体在空间和时 垂直位移事件(VDE)是反应堆常见的事故之一 间的变化情况，成为解决问题的关键。本文主要采 [3] ，它具有一般等离子体破裂不稳定性的特点，比 用ANSYS APDL ，在等离子体区域划分网格，在每 如一开始等离子体与器壁发生强烈的相互作用，然 个时刻，寻找相应位置的单元“块” ，并把相应的 后等离子体迅速冷却下来，电流通道被堵塞，最后 电流加载到该单元“块”上，从而动态模拟等离子体 等离子体中的热能在很短的时