化概一固体.ppt

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
化概一固体

10.3.1 金属的成键 1. 电子海模型 金属阳离子 自由电子 金属的特性解释(金属的自由电子论): 电、热的良导体—自由电子 良好的延展性—离域键 密度大—金属密堆积 金属光泽—电子吸收可见光后再发射出来 2.能带理论(源于MO法) 能带理论的出发点是固体中的电子不再束缚于个体的原子,而是在整个固体内运动。 能带理论在解释金属与半导体以及绝缘体之间的差别中获得了巨大的成功。 能量 成键轨道数 原子能级和晶体能带 根据分子轨道理论,二相邻原子的相应原子轨道可以组合成总数目相同的分子轨道。在金属晶体中,原子紧密堆积,原子数目很大,可以组合成很多分子轨道。这些分子轨道间能量差很小,形成了能带。 如,Li的2s1形成2s能带: 能量较低的σ2s能带充满电子,称价带; σ*2s能带没有电子,为空带,又称导带; 在价带和导带之间有禁带。 金属、半导体和绝缘体的性质差别,可用能带图来说明。 (σ*2s) (σ2s) 3.3.2 半导体的成键 1.半导体的能带 带隙 半导体能带 绝缘体 半导体: 禁带宽度较窄( Eg2ev ),光照或在外电场作用下,价带上的电子很容易跃迁至导带,使价带产生少数空穴,导带有了少数电子,二者均未充满电子,故能导电。 本征半导体 掺杂半导体 第四主族单质带隙与性质 元 素 带隙(kJ/mol) 电学性质 C(金刚石) 520 绝缘体 Si 107 半导体 Ge 65 半导体 Sn(灰锡) 8 半导体 Sn 0 金 属 Pb 0 金 属 3.4.2 晶态固体的应用 3.4.1 晶体的缺陷与性质 §3.4 晶态固体的性质与应用 缺陷的产生 (1)热缺陷或本征缺陷,随温度增加迅速增加, 缺陷是高温下固体物质的结构特点。 △G △H -T△S 缺陷浓度 能 量 NaCl中取代与空位 (2)不等性取代引 入不等价离子,为维持电荷 平衡产生缺陷。 (3)非平衡缺陷:由机械或辐射产生的缺陷。 空位 Na+ Cl - Ca2+ 晶体点缺陷 1.理想晶体与缺陷 Schottky缺陷 Frenkel 缺陷 (1) Frankel(弗仑克尔)缺陷 晶体中同时产生一对间隙原子和空位的缺陷,称之为Frankel(弗仑克尔)缺陷。   很多对的间隙原子和空位处于运动之中,或者复合、或者运动到其他位置上去。 Frankel(弗仑克尔)缺陷特点: ①空位和间隙成对产生 ; ②晶体密度不变。   Schttky缺陷的两个形成过程    ①由于热运动,晶面部分能量较大的原子蒸发到晶面以外稍远的地方,从而产生晶面空位;   ②晶体内部的原子运动到晶面,进而替代晶面空位,并在晶体内部正常格点处留下空位。 (2) Schttky(肖特基)缺陷   因此,总的看来,就像空位从晶体表面向晶体内部移动一样,这种空位称作Schttky缺陷。    Schottky缺陷的产生过程可示意如下: Schttky缺陷的特点:   对于离子晶体,为保持电中性,正离子空位和负离子空位成对产生,晶体体积增大。 LiF Schottky NaCl KBr MnO Schottky MgO ?-Al2O3 MgF2 Anion Frenkel CaF2 ZnO AgCl Cation Frenkel ?- CuCl Li2O 常见化合物中缺陷类型 2. 缺陷结构与性质 宝石的颜色: 蓝 钻

文档评论(0)

jiayou10 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:8133070117000003

1亿VIP精品文档

相关文档