南航五院微机原理与应用一08 存储器扩展.pptVIP

第8章 MCS-51的存储器扩展 主要内容 熟悉系统三总线的概念； 重点掌握程序存储器的扩展； 重点掌握外部数据存储器的扩展； 8.1 概述 在组成单片机应用系统时: 存储器的扩展。 I/O口的扩展。 8.2 系统总线及总线构造1. 系统总线 系统总线是计算机连接各部件的公共信号线，扩展是通过总线进行的。 2. 构造系统总线 三总线方式: 1. 以P0口线作为数据总线。 2.以P2口线作高位地址线 ；P0口经过锁存器作为低8位地址 。 3.控制信号线: ALE，PSEN，EA RD、WR信号。 P0口是分时复用地址/数据线，进行RAM扩展时必须利用“地址锁存器”将地址信号锁存起来 。 单片机扩展单片ROM 8.3 读写控制、地址分配和外部地址锁存器1. 存储器扩展的读写控制 MCS-51 外扩RAM RD == OE 读控制 WR == WE 写控制 MCS-51 外扩ROM PSEN == OE 读控制 2. 存储器地址分配 解决两个问题：片选连线、地址分配 方法: 线选法：高地址线作为片选信号，将高地址线和片选端（CE）直接相连; 译码法：采用译码电路对高地址进行译码，译码器的输出作为片选信号。 全译码：剩余的高位地址线全部参加译码，存储器地址空间不重叠 部分译码：剩余的部分高位地址线参加译码，存储器地址空间重叠 (1) 线选法 (2) 译码法 全译码 (3) 线选法与译码法比较 线选法选址 电路连接简单 地址空间利用率低 地址空间重叠严重 译码法选址 采用译码器电路 部分译码仍有重叠的地址空间 全译码地址空间利用率高，地址唯一 8.4 外部ROM的扩展 MCS-51访问外部ROM的控制信号: ALE：低8位地址锁存控制信号 PSEN：外部ROM“读取”控制信号 1. 常用EPROM芯片介绍 Intel典型芯片 2716 (2KB) 2732 (4KB) 2764 (8KB) 27128 (16KB) 27256 (32KB) 引脚 A0~A15:地址 D7~D0：数据 CE：片选 OE：读选通 EPROM的工作方式 2. 访问片外ROM的时序(1) 系统中无片外RAM (2) 系统中有片外RAM 3. 扩展电路实例 (2) 多片EPROM扩展 2. 访问片外RAM的时序 读片外RAM时序 2. 访问片外RAM的时序 写片外RAM时序 3. 典型的外RAM扩展电路 (2) 译码法 8.6 EPROM和RAM的综合扩展 线选法 地址分配 由硬件保证，不会产生数据冲突，ROM和RAM之间可以地址重叠 译码法 8.7 E2PROM的扩展 E2PROM用于单片机系统中，既可扩展为片外EPROM，也可扩展为片外RAM。 调试程序时，用E2PROM代替仿真EPROM，既可修改程序，又能保存调试好的程序。 与RAM芯片相比，E2PROM写操作速度是很慢的。 常用的E2PROM芯片有2816/2816A，2817/2817A，2864A等。 MCS-51扩展EEPROM为RAM MCS-51扩展E2PROM为RAM和ROM ATMEL 89C51 的片内闪烁存储器 E2PROM芯片的主要缺陷：擦除和写入时间较长（10ms），对许多实际应用不能接受。 将存储器集成到单片机内，缩短擦除和写入时间——片内闪烁存储器（Flash Memory） ATMEL公司推出片内带EPROM的87C51给应用带来极大的便利，但价格太高。 ATMEL公司又推出了带闪烁可编程/擦除只读存储器(Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的单片机：AT89C51、89C52、89C55。 ATMEL 89C51 的主要性能： (1)与MCS－51微控制器系列产品兼容。 (2)片内有4KB可在线重复编程的闪烁存储器 （Flash Memory）。 (3)存储器可循环写入/擦除1万次。 (4) 存储器数据保存时间为10年。 (5) 宽工作电压范围：Vcc可为+2.7V~+6V。 (6) 全静态工作:可从0Hz~16MHz。 (7) 程序存储器具有3级加密保护。 (8)空闲状态维持低功耗和掉电状态保存存储器内容。 (9)价格便宜，甚至低过8031。 使用片内带闪烁可编程/擦除只读存储器的系列单片机（AT89C51、89C52、89C55）省去了外扩ROM的工作，只需了解片内闪烁存储器的特性和如何编程即可。 对89C51片内闪烁存