第8章rfid电磁反向散射方式的射频前端.pptVIP

物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 8.2.2放大器的功率增益 1.转换功率增益 (8.32) 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 2. 等增益圆 图8.24 单向晶体管等增益圆 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 8.2.3放大器输入输出驻波比 放大器输入、输出电压驻波比为 (8.33) 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 8.2.4放大器的噪声 1.噪声系数 (8.34) 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 2.级联网络的噪声系数 多级的级连的高增益放大器，仅第一级对总噪声有较大影响。 （8.38） 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 射频功率放大器的设计 8.3 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 8.3.1 A类放大器的设计 A类放大器也称为甲类放大器，工作于这种状态的放大器，晶体管在整个信号的周期内均导通。功率放大器的效率是特别需要考虑的，放大器的效率定义为射频输出功率与直流输入功率之比，A类放大器的效率最高为50%。 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 1. 大信号下晶体管的特性参数 （1）1dB增益压缩点 当输入功率较低时，输出与输入功率成线性关系；当输入功率超过一定的量值之后，输出与输入功率为非线性关系，晶体管的增益开始下降。 晶体管的输入功率达到饱和状态时，其增益开始下降，或者称为压缩。当晶体管的功率增益从其小信号线性功率增益下降1dB时，对应的点称为1dB增益压缩点。 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） （2）动态范围 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 8.3.2 交调失真 在非线性放大器的输入端加两个或两个以上频率的正弦信号时，在输出端将产生附加的频率分量。这些新的频率分量是非线性系统失真的产物，称为谐波失真或交调失真。 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 三阶交调 和 由于距 和 太近而落在了放大器的频带内，不易滤除，可以导致信号失真。 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 1.三阶截止点 三阶交调的输出功率按输入功率的3次方增长，线性产物 和 的输出功率按输入功率的1次方增长。 三阶交调输出功率随输入功率变化的斜率为3，线性产物输出功率随输入功率变化的斜率为1，当输入功率增大时，三阶交调输出功率比线性产物输出功率增长得快。两条曲线的假想交叉点称为三阶截止点 。 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 2.无寄生动态范围 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 射频振荡器的设计 8.4 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 8.4.1振荡器的基本模型 振荡器是一个非线性电路，它将直流（DC）功率转换为交流（AC）波形。振荡器的核心是一个能够在特定频率上实现正反馈的环路。 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 8.4.2 射频低频段振荡器 射频低频段振荡电路有许多可能的形式，它们采用双极结型晶体管（BJT）或场效应晶体管(FET)，可以是共发射极/源极、共基极/栅极或共集电极/漏极结构，并可以采用多种形式的反馈网络。各种形式的反馈网络形成了考毕兹（Colpitts）、哈特莱（Hartley）等振荡电路。 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 考毕兹电路振荡的必要条件为 （ 8.52 ） 考毕兹电路振荡的频率为 （ 8.53 ） 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2版） 为了提高频率稳定性，常将石英晶体用于振荡电路中。石英晶体谐振器具有许多优点，包括具有极高的品质因数（可以高达100000）、良好的频率稳定性和良好的温度稳定性等，因而晶体控制振荡器得到广泛采用。但遗憾的是，石英晶体谐振器属于机械系统，其谐振频率一般不能超过大约250MHz。 点击此处结束放映 物联网-射频识别（RFID）核心技术详解（第2