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基片对交替溅射制备的MnZn铁氧体薄膜结构和磁性的影响!-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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基片对交替溅射制备的!# 铁氧体薄膜结构
和磁性的影响!
) ) ) ) ) )
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张 弘 刘 曦 王兰喜 曹江伟 刘小晰 魏福林
!)(兰州大学电子材料研究所,兰州 $% )
)(兰州大学磁性材料研究所,兰州 $% )
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
’ $ ’ ’ ! ’
使用成分分别为()*+ , 和.)*+ , 的靶,使用射频溅射交替沉积制备了成分不同的() .) *+ , 薄膜,沉
- - ! / ! ! -
积薄膜所用基片分别为单晶硅 ( ),氧化的单晶硅 ( ), 为衬底的单晶硅 ( )及单
01 ! 01, 2 01 ! .)*+ , .)*+ , 2 01 !
- -
晶氧化镁 ( ),沉积态的薄膜为非晶结构,经 真空退火后可以得到 多晶铁氧体薄膜 成分为
(3, ! 445 ().) 6 ()
74
的薄膜呈现了较好的磁性:相对高的 及低的 以 ( )为基片薄膜的矫顽力最低,约为
.) *+ , # 6 (3, ! !-’
74 - 8 9
对基片材料对薄膜磁性的影响作了分析 认为铁氧体薄膜中应力导致的磁弹性各向异性对薄膜的矫顽力起着
:2; 6 6
主导作用,选用合适的基片可使薄膜中晶粒细化至纳米尺度,晶粒间增强的交换耦合作用可对薄膜中的磁
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