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微胞技术制备奈米氧化锡抑制锡晶须成长
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行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告
以微胞技術製備奈米氧化錫抑制錫晶鬚成長之研究
計畫類別:■個別型計畫 □ 整合型計畫
計畫編號: 97-2221-E-008-006
執行期間:97 年08 月01 日至98 年10 月31 日
計畫主持人:吳子嘉
共同主持人:
計畫參與人員:丁怡真、林揚益、蘇建豪、蔡鈞揚
成果報告類型(依經費核定清單規定繳交) :■精簡報告 □完整報告
本成果報告包括以下應繳交之附件:
□赴國外出差或研習心得報告一份
□赴大陸地區出差或研習心得報告一份
■出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份
□國際合作研究計畫國外研究報告書一份
處理方式:除產學合作研究計畫、提升 產業技術及人才培育研究計畫、
列管計畫及下列情形者外,得立即公開查詢
□涉及專利或其他智慧財產權,□一年□二年後可公開查詢
執行單位:國立中央大學化學工程與材料工程學系
中 華 民 國 98 年 10 月 31 日
1. 中文摘要 3
2. 前言 3
3. 研究方法 5
3、1 以微胞技術製備奈米二氧化錫顆粒5
3、2 奈米氧化錫顆粒抑制錫鬚生長5
4. 結果與討論 5
4、1 利用微胞技術合成奈米二氧化錫顆粒5
4、2 利用奈米氧化錫顆粒抑制錫晶鬚的生長6
5. 結論 7
6. 計劃結果自評 7
7. 參考文獻8
7.1參考文獻8
7.2 已發表文章8
2
行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告
以微胞技術製備奈米氧化錫抑制錫晶鬚成長之研究
計畫編號:97-2221-E-008-006
執行期限:97年08月01日~98年07月31日
主持人:中央大學化材所 吳子嘉教授
計畫參與人員:丁怡真、林揚益、蘇建豪、蔡鈞揚
1. 中文摘要
本計劃利用微胞技術合成二氧化錫奈米顆粒,其平均粒徑約為150nm~200nm
之間,同時進行奈米氧化錫顆粒分散於去離子水中,以噴灑方式散佈於含有錫膜
表面之銅基板上。噴灑的奈米氧化錫顆粒被包覆於再生氧化層中,成為原表面氧
化層更緻密化的障礙,由於溫度並未高到可使奈米顆粒 與原生氧化層緻密結合,
反而在奈米粉末與氧化層接觸面上會有相對較開闊且數量甚多的的擴散通路可
供空孔進入並使錫原子擴散而釋放應力,用來抑制錫晶鬚的生長。另外以奈米氧
化錫顆粒抑制錫晶鬚實驗結果顯示,奈米二氧化錫顆粒對於錫晶鬚之生長的確有
抑制作用。將表面經過預處理的試片,置於25o o o
C、40 C和60 C下43週,有很多突
起物生長於試片表面,但比
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