利用光谱响应研究太阳电池基区少数载流子扩散长度.pdfVIP

第35卷第8期 太阳能学报 V01．35．No．8 2014年8月 ACTAENERGIAESOLARISSINICA Aug．，2014 文章编号：0254．0096(2014}08—1394．06 利用光谱响应研究太阳电池基区 少数载流子扩散长度 马逊1～3，刘祖明1“3，李景天1“3，李明卜3 (1．云南师范大学太阳能研究所，昆明650092；2．教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室，昆明650092； 3．云南省农村能源工程重点实验室，昆明650092) 摘要：针对已有的晶体硅太阳电池基区少数载流子的扩散长度测量模型和测试方法中存在的不足，建立利用光 谱响应研究硅太阳电池基区少数载流子的扩散长度的模型，该模型考虑了n+pp+型晶体硅太阳电池背面高低结势垒 的影响，对基区少数载流子扩散长度的测量模型进行修正。根据硅太阳电池在900～950nm的长波光谱响应测试结 果，并利用该修正模型得到少数载流子在基区的扩散长度。所得结果与PCID模拟结果进行比较，两者相近。 关键词：太阳电池；光谱响应；少数载流子；扩散长度；基区 中图分类号：TK514 文献标识码：A 立开路电压与光谱响应之间的模型，通过测量太阳 O 引 言 电池长波光谱响应得到基区少数载流子有效扩散 太阳电池基区少数载流子扩散长度对转换效 长度№3。该模型适用于n+区为人射前表面，测试人 率和输出电特性有重要影响，为了准确获得少数载 射单色光波长范围为750～950am。4)利用连续性 流子在基区扩散长度这一参数，通常需测量太阳电 方程推导基区和背电场区域电流密度、基区少数载 池在中、长波段的光谱响应n“。中、长波光子能量 流子扩散长度、背表面复合速度之间的关系口1。当 低，太阳电池对此部分光子的吸收系数小，这部分 测量n+pp+型晶体硅晶体硅太阳电池，以上4种模型 光子在势垒区，甚至到基区才能被材料完全吸收产 均未考虑pp+区域内的电场产生的影响。因此，在 生光生载流子，因此通过测量太阳电池在中、长波段 利用长波光谱响应测量基区少数载流子扩散长度 的光谱响应值，可获得少数载流子扩散长度值，从而 时，将引入测量误差。 了解基区材料特性，改进太阳电池的制作工艺b1。 本文通过求解基区少数载流子连续性方程，同 可采用测量少数载流子寿命的方法获得扩散长度， 时考虑高低结引入电场的影响，计算得到基区少数 并且考虑样品表面复合速度带来的误差n’51。 载流子扩散长度与太阳电池光谱响应之间的关系， 常用的测量太阳电池基区扩散长度的模型有 从而减小测量误差。 4种：1)利用长波光谱响应与基区少数载流子扩散 1理论分析 长度的关系№1。通过测量入射单色光波长在800。 970 nm内的光谱响应，得到基区少数载流子“有效” 以常规n+pp+型晶体硅太阳电池为例建立模型， 扩散长度值￡。。。该模型适用于在未知背表面复合 n+区为前表面(入射光面)，基区为P区，背电场区域 速度时，将背表面复合速度5。的影响用k表示。 为p+区。该模型研究区域为基区，因此采用中、长 2)利用太阳电池的，_y特性，推导得到开路电压与波单色光照射太阳电池，收集到的光生电流可近似 基区少数载流子扩散长度之间的关系n3。该模型可 认为是由基区光生电流和势垒区光生电流提供 在太阳电池，-y特性测量时完成，方法简便。3)建的。由于基区掺杂浓度均匀，在光照时基区内电场 收稿日期：2012．05．09 基金项目：云南省科技计划