多元胞半导体浪涌防护器转折特性与IH的折衷.pdfVIP

H Ⅶ)10 第29卷第lO期 华中科技大学学报 o：‘ 2001年10月 Sci＆Tech． (h 二00l J Huazh。ngUnⅣ0f 多元胞半导体浪涌防护器 转折特性与垴的折衷 余岳辉徐春华彭昭廉黄秋芝 (华中科技大学电子科学与技术系) 摘要：由晶闸管短路发射极模型提出了半导体浪涌防护器的一种多元胞结构，分析了该模型的转折特性与维 持电流h在归一化条件F，定量表述了其折衷关系，从而确定了某一丁艺参数条件下的最佳D／d值，为提 高ssPD的浪涌能力、改善响应特性、实现器件的规模化生产具有重要意义 关键词：通信系统；浪涌防护：多元胞；半导体浪涌防护器 中图分类号：TN303文献标识码：A 文章编号：1000_8616(2001)10—0(J41—03 半导体雷浪涌防护器(ssPD，Siliconsur辨 件最高温度的结论㈧．同时该结构可以缩短工艺 Pmtecti。11 L)evice)采用双向晶闸管结构．为了简 流程，简化生产工艺，降低生产成本． 化工艺、适于规模化生产，文献f1]提出r多元胞 结构模型，本研究是对上述模型的进一步完善和 改进同时讨论了该结构模型的转折特性与维持 电流坫的协调 1单元胞及多元胞模型 图1所示为半导体雷浪涌防护器的基夺结 |冬】2多元胞横向结构圈 2多元胞结构模型的转折特性 2．1 多元胞短路结构模型 根据晶闸管短路发射极模型作出的sSPD多 图1 ssPD的基本结构 元胞短路结构模型如图3所示．图中画出了其中 构一01它采用平面工艺制作，单元尺、r的范围· 两个元胞，它们的边长为2d，间距为2D． 般为25nlm×25rTml～2_8rnrn×28nlnl，暂且 2．2多元胞结构模型分析 假定： 称此单元为单元胞该结构工艺流程长，制作设备 a．采用N—si衬底材料，边长为2d的P区为 昂贵，生产成本相对较高其工作原理及开通过程 同晶闸管14． “短路”区； b多元胞均匀对称分布； 图2为多元胞结构示意图采用有限差分法 c．与晶闸管的短路模型分析相似，H计入离 由求解二维瞬态热导方程．理论上可以得到多元 某一发射区最近一胞的作用； 胞结构由于未导通部分的热沉作用能有效降低器 0518 收稿日期：200l 作者简介：余岳辉(1946．)，男，教授；武汉，华中科技大学电子科学与技术系(430074) 华巾科技大学学报 2001年 作，这就要求SSPD具有较大的维持电流嵋，通 常要求大于100nA，根据k的定义㈦，