模拟电子技术 杨明欣 2.5.pptVIP

2.5.9 绝缘栅双极晶体管（了解） 绝缘栅双极晶体管IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)结合了MOSFET与BJT两者的特性，在高电压与大电流的交换应用上，IGBT大量地取代了MOSFET与BJT。 2.5.9 绝缘栅双极晶体管 2.5.1 概述 2.5.2 结型场效应管 2.5.5 场效应管的主要参数 2.5.3 MOS 场效应管 2.5.4 VMOS场效应管 2.5.6-8 场效应管的对比和使用注意事项 2.5　场效应管 场效应管 FET (Field Effect Transistor) 结型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET) 特点： 它是一种电压控制器件。工作时，管子的输入电流几乎为 0， 因此具有极高的输入电阻(约数百兆欧以上)。 输出电流是仅由多子运动而形成的，故称单极型器件(普通晶体管电流是由多子和少子两种载流子形成，称为双极型器件)。 因此， 它的抗温度和抗辐射能力强，工作较稳定。 制造工艺比较简单，便于大规模集成，且噪声较小。 类型较多， 使电路设计灵活性增大。 类型： 2.5.1 概述 2.5.2 结型场效应管（以N沟道为例） 结型场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 1、JFET结构 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用（Uds=0时） 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） 2、N-JFET工作原理 漏-源电压对漏极电流的影响（Uds≠0时） uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） 夹断电压 漏极饱和电流 转移特性 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uDS＜UGS（off）。 为什么必须用转移特性描述uGS对iD的控制作用？ 3、N-JFET特性曲线 g-s电压控制d-s的等效电阻 输出特性 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 2.5.3 MOS 场效应管 1. 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗尽层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D B B — 衬底（通常和S极相连） 栅源电压为零时存在原始导电沟道的场效应管称为耗尽型场效应管；无原始导电沟道，只有在uGS绝对值大于开启电压uGS(th) 绝对值后才能形成导电沟道的，则称为增强型场效应管。 S G D B S G D B S G D B S G D B 注意沟道符号差别！ 2. 几个概念 3. 工作原理 1)uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0) a. 当 UGS = 0 ，DS 间为两个背对背的 PN 结； b. 当 0 UGS UGS(th)(开启电压)时，GB 间的垂直电 场吸引 P 区中电子形成离子区(耗尽层)； c. 当 uGS ? UGS(th) 时，衬底中电子被吸引到表面，形 成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚。 反型层 (沟道) 2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th)) 　　DS 间的电位差使沟道呈楔形，uDS?，靠近漏极端的沟道厚度变薄。 预夹断(UGD = UGS(th))：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS? iD?。 预夹断发生之后：uDS? iD 不变。 MOS夹断原理 小结： ① N沟EMOS道场效应管无原始导电沟道，当uGSUGS(th)时产生导电沟道，改变uGS的大小可以改变导电沟道的宽度，从而改变iD的大小。