激光在半导体技术中的主要应用及进展.PDFVIP

维普资讯 纂 eV 1ei 激光在半导体技术中的主要应用及进展 王光伟 天津工程师范大学电子工程系．天津 300222 摘要 简要概述 了激光在半导体技术 中的主要应用。这些应用大致涵盖激光掺杂、激光退火、激光沉积薄膜、激光引发固相反应和 激光光刻等几方面。激光光刻中，选取 248am KrF，193nmArF和 157nmF2准分子激光光刻着重进行 了探讨 。分析了这些激光 工艺的现状、特点和最新进展 ，并对存在 的问题和发展趋势作了研究。 关键词 激光掺杂；激光退火 ；激光沉积薄膜 ；激光 固相反应 ；激光光刻 中图分类号 TN304．055。TN249 文献标识码 A 文章编号 1000—7857(2008)06—0078—06 ApplicationsofLaserin 薄膜 。激光引发固相反应作为一个较新 的课题 ，有许多问题 需要研究。激光的一些参数 ，如中心波长 、能量密度 、脉冲宽度 SemiconductorTechnology 和重复频率等 ，对上述工艺有直接的影响。 IC特征尺寸的不断缩小对光刻技术的要求越来越高。光学 WANG Guangwei 光刻的光源主要有波长为248nm的KrF和 193nm的ArF准 分子激光。除光源外 ，成像透镜 、光刻胶 、掩膜版以及步进扫描等 DepartmentofElectronicEngineering,TianjinUniversityof 技术的发展 ，使光刻极限已推进到90nm以下。如英特尔45nm TechnologyandEducation,Tianjin300222，China 工艺P1266采用了波长为 193nm的ArF光刻技术 。业界认为， Abstract Theapplicationsoflaserinsemiconductortechnologyare 193nmArF浸没式光刻机将是 65llm和 45nm工艺 的主流光 reviewedinthispaper．They includelaserdoping,laserannealing, 刻设备 ，甚至可延伸至 32nm工艺 。实际上 ，激光在半导体技 laserdepositingfilm,solid-phasereactioninducedbylaserandlaser 术中的应用远不止这些 ，还有诸如激光微细加工等 ，限于篇 photolithograph．Inlaserphotolithograph,248nm KrF,193nm ArF 幅，将在正文 中略作探讨 ，在此不赘述 。 and157nm F2excimerlaserphotolithorgaphtechniquesarechosenas examples．Thecurrentstatus,technologicalcharacteristicsandlatest 1激光在半导体技术中的主要应用 progressesoftheselasertechniquesareanalyzed．Andsomerelated 1．1激光掺杂 problemsanddevelopmentⅡ_endoflasertechniquesarediscussed． 激光掺杂 (Laserdoping)技术起始于20世纪 70年代 ．在 Keywords laserdoping；laserannealin