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等离子增强原子层沉积低温生长GaN薄膜 汤文辉 刘邦武 张柏诚 李敏 夏洋 LowtemperaturedepositionsofGaNthinfilmsbyplasma-enhanced atomic layer deposition TangWen-Hui LiuBang-Wu ZhangBo-Cheng LiMin Xia Yang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,098101(2017) DOI: 10.7498/aps.66.098101 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.098101 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I9 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 Novellateraldouble-diffusedMOSFETwithverticalassisted deplete-substrate layer 物理学报.2017,66(7): 077302 /10.7498/aps.66.077302 1kΩ 量子霍尔阵列电阻标准器件研制 A1kΩ standardresistordevicebasedonquantumHallarray 物理学报.2016,65(22): 227301 /10.7498/aps.65.227301 CO 激光烧结合成负热膨胀材料Sc (MO ) ( =W,Mo)及其拉曼光谱 Syntheses of negative thermal expansion materials Sc (MO ) ( =W, Mo) with a CO laser and their Ramanspectra 物理学报.2014,63(24): 248106 /10.7498/aps.63.248106 静电纺丝法制备Bi Fe O 及其磁学性能的研究 MagneticpropertiesofBi Fe O synthesizedbyelectrospinning 物理学报.2012,61(23): 238102 /10.7498/aps.61.238102 丝电爆过程的电流导入机理 Mechanismofcurrentinjectionintheprocessofwireelectrical explosion 物理学报.2012,61(7): 078105 /10.7498/aps.61.078105 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 9 (2017) 098101 等离子增强原子层沉积低温生长GaN薄膜 汤文辉 刘邦武 张柏诚 李敏 夏洋 1) (山东科技大学材料科学与工程学院, 青岛 266000) 2)(中国科学院微电子研究所, 微电子设备技术研究室, 北京 100029) 3)(中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心, 嘉兴 314006) ( 2016 年12 月29 日收到; 2017 年2 月6 日收到修改稿) 采用等离子增强原子层沉积技术在低温下于单晶硅衬底上成功生长了GaN 多晶薄膜, 利用椭圆偏振仪、 低角度掠入射X 射线衍射仪、X 射线光电子能谱仪对薄膜样品的生长速率、晶体结构及薄膜成分进行了表征 和分析. 结果表明, 等离子增强原子层沉积技术生长GaN 的温度窗口为210—270 ◦C, 薄膜在较高生长温度 下呈多晶态, 在较低温度下呈非晶态; 薄膜中N 元素与大部分Ga 元素结合成N—Ga 键生成GaN, 有少量的 Ga 元素以Ga—O 键存在, 多晶GaN 薄膜含