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第 3 章 电流镜与差分放大器39 3.1 MOS 电流源39 3.2 基本电流镜39 3.3 电流源与电流阱电路43 3.4 差分放大器46 3.4.1 差分放大器的基本概念46 3.4.2 共模与差模信号47 3.4.3 差分放大器的小信号模型分析 49 1. 差模小信号输入分析50 2. 共模小信号模型分析51 3. 输入输出信号的一般表示式 52 3.4.4 共模抑制比52 3.4.5 差分放大器的双端口模型53 1. 差模放大器的双端口模型的参数 53 3.4.6 单端输出差分放大器59 38 第3 章 电流镜与差分放大器 在前一章中，我们已经学习了 MOS 管电流源，本章将进一步分析电流源种类和性能 以及在电路中的基本应用。在此基础上，我们要介绍在模拟集成电路中被广泛使用的电流 镜电路的结构和性能。另外，在本章中还要介绍差分放大器的基本概念、电路和性能，说 明差分放大器在模拟集成电路设计中的作用。最后讨论电流镜负载的双端输入单端输出的 差分放大电路的性能。 3.1 MOS 电流源 图3- 1 中MOS 管工作在饱和区。如果不考虑沟道长度调制效应，那么电流源或电流 阱的电流大小与漏源电压无关[1,2]，所以从图3- 1 中的MOS 管的漏极看进去，其电流是不 变的，是一个理想的电流源。如果考虑沟道长度调制效应，那么 MOS 管的电流- 电压关系 为： 1 W 2 I μ C (V =−V ) (1+λV ) (3-1) DS n ox GS TH DS 2 L 根据式（3-1 ），将 V 对I 求导，可得 MOS 的交流电阻为： DS DS 1 r (3-2) o λI DS 从式（3-2 ）可知，电流源的输出电阻与λ系数和直流电流IDS 的值成反比。电流IDS 的值越 大，则 ro 的值越小，与理想的电流源距离就越大。另外，式（3-2 ）的计算结果是在一阶模 [3,4] 型基础上得到的，适合于沟道长度大于 10μm 的长沟道器件和沟道低掺杂的条件 。我们 知道 λ 系数与沟道长度成反比[2]，因此在亚微米工艺条件下，电流源的输出电阻将降低。 因此在设计电流源时，要根据实际需要设定MOS 管的沟道长度。 为了保证图 3- 1 所示NMOS 管和 PMOS 管工作在饱和区，NMOS 和 PMOS 管的端口 电压分别需要满足饱和工作条件：