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第5-6讲 存储器及其与CPU的接口
第5、6讲存储器及其
与CPU的接口
提 纲
• 存储器分类与主要性能指标
• 只读存储器
• 随机读写存储器
• 微型机系统的存储器体系结构
• 存储器应用设计(重点)
存储器的层次结构
不同的存储器具有不同的存储容量、不同存取速度。
速度 容量
快 寄存器 小
高速缓冲存储器
主存储器
慢 辅助存储器 大
3
主存储器组成
读 数据
写 寄存
存储体阵列 电 器 数据总线
路 MDR
驱动电路 时序控制电路
地址译码器
地址寄存器
地址总线
MDR
返回
存储器主要性能指标
• 存储容量
是指存储器芯片中所包含的存储单元
(Memory cell)数。半导体存储单元通常以
字节为单位,人们通常说的存储单元都是指
的字节单元。
• 存取时间
存储器的最重要的性能指标,是读写存储器
中某一存储单元所需时间,一般指存储器接
收到稳定地址信号到完成操作的时间。
• 功耗
• 可靠性
• 性价比
半导体存储器分类
按在系统中位置:内部存储器、外部存储器;
按制造工艺:双极型、MOS;
易失性:非易失性、易失性;
可读写性:只读存储器(ROM)、可读写存储器;
读写顺序:顺序读写存储器、随机存储器(RAM);
动态/静态,异步/ 同步,串行/并行
只读存储器
掩膜ROM: mask programmed ROM;
可编程ROM: Programmable ROM, PROM;
可擦除的PROM: Erasable PROM, EPROM;
电擦除的PROM: Electrically Erasable PROM,
2
E PROM/EEPROM;
闪烁存储器FLASH, NOR flash/NAND flash;
只读存储器ROM
掩膜ROM: mask programmed ROM
厂商根据用户数据刻录固定数据到ROM 中;无法修改。
可编程ROM: Programmable ROM, PROM
用户按需要一次性写入数据,无法反复修改。
可重复擦写的只读存储器EPROM
EPROM信息的存储是通过电荷分布来决定的,编程过程就是
电荷注入的过程,编程结束后撤除电源,但由于绝缘层包围,注
入的电荷无法泄漏,存储信息不会丢失。
擦除信息时,利用紫外线照射芯片上方的石英玻璃窗口,浮栅
中的电荷会形成光电流泄漏,,内部的
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