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第5-6讲 存储器及其与CPU的接口

第5、6讲存储器及其 与CPU的接口 提 纲 • 存储器分类与主要性能指标 • 只读存储器 • 随机读写存储器 • 微型机系统的存储器体系结构 • 存储器应用设计(重点) 存储器的层次结构 不同的存储器具有不同的存储容量、不同存取速度。 速度 容量 快 寄存器 小 高速缓冲存储器 主存储器 慢 辅助存储器 大 3 主存储器组成 读 数据 写 寄存 存储体阵列 电 器 数据总线 路 MDR 驱动电路 时序控制电路 地址译码器 地址寄存器 地址总线 MDR 返回 存储器主要性能指标 • 存储容量  是指存储器芯片中所包含的存储单元 (Memory cell)数。半导体存储单元通常以 字节为单位,人们通常说的存储单元都是指 的字节单元。 • 存取时间  存储器的最重要的性能指标,是读写存储器 中某一存储单元所需时间,一般指存储器接 收到稳定地址信号到完成操作的时间。 • 功耗 • 可靠性 • 性价比 半导体存储器分类 按在系统中位置:内部存储器、外部存储器; 按制造工艺:双极型、MOS; 易失性:非易失性、易失性; 可读写性:只读存储器(ROM)、可读写存储器; 读写顺序:顺序读写存储器、随机存储器(RAM); 动态/静态,异步/ 同步,串行/并行 只读存储器 掩膜ROM: mask programmed ROM; 可编程ROM: Programmable ROM, PROM; 可擦除的PROM: Erasable PROM, EPROM; 电擦除的PROM: Electrically Erasable PROM, 2 E PROM/EEPROM; 闪烁存储器FLASH, NOR flash/NAND flash; 只读存储器ROM 掩膜ROM: mask programmed ROM 厂商根据用户数据刻录固定数据到ROM 中;无法修改。 可编程ROM: Programmable ROM, PROM 用户按需要一次性写入数据,无法反复修改。 可重复擦写的只读存储器EPROM EPROM信息的存储是通过电荷分布来决定的,编程过程就是 电荷注入的过程,编程结束后撤除电源,但由于绝缘层包围,注 入的电荷无法泄漏,存储信息不会丢失。 擦除信息时,利用紫外线照射芯片上方的石英玻璃窗口,浮栅 中的电荷会形成光电流泄漏,,内部的

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