摩擦化学反应活化能在SiO_CMP中的作用.PDF

第8卷 第3期 纳 米 技 术 与 精 密 工 程 Vo1_8 No．3 2010年5月 Nanotechnologyand PrecisionEngineering Mav 2010 摩擦化学反应活化能在 SiO2-CMP中的作用 刘瑞鸿，郭东明，金洙吉，康仁科 (大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室，大连 116024) 摘 要：基于摩擦化学反应动力学，在修正阿伦尼乌斯公式的基础上，建立了考虑摩擦效应在内的化学反应速率方 程，并建立SiO 介质膜化学机械抛光总材料去除率模型；同时，通过浸泡、变温抛光试验确定了材料去除模型．研究 结果表明，在化学机械抛光 (CMP)过程中，因为反应速率对温度的依赖程度降低 ，摩擦产生的机械能除了部分转化 为热能等其他形式的能，绝大部分直接转化为化学能，即直接降低 了化学反应活化能，从而提高了反应速率；纯化 学作用和纯机械作用在整个CMP去除量中所占比重很小，可以忽略不计；不同浓度通过对摩擦力和活化能降低量 的影响，从而影响了温度和抛光效果的相关性，活化能降低量与摩擦力基本呈线性关系． 关键词：摩擦化学反应活化能；层间介质膜 ；化学机械抛光 中图分类号：TN305．2；TN47 文献标志码：A 文章编号：1672-6030(2010)03-0275-06 TheRoleofFrictionChemicall action ActivationEnergyin SiO2·CM P LIURui—hong，GU0Dong-ming，JINZhu-ji，KANGRen—ke (KeyLaboratoryforPrecisionandNon—TraditionalMachiningTechnologyofMinistryofEducation， DalianUniversityofTechnology，Dalian116024，China) Abstract：Considering friction chemicalreaction dynamicsand theA~heniusformula amended。the chemicalreactionrateequation includingthefrictioneffectwasestablished．Thetotalmaterialremoval ratemodelofchemicalmechanicalpolishing(CMP)silicondioxideinter—leveldielectricwasobtained．At thesametime，thematerialremovalmodelwasconfirmedthroughimmersiontestsandpolishingtestsin differenttemperatures．Theresultsshow thatasthedependenceofreactionrateon temperaturedecrea— ses，themajorityofmechanicalenergygeneratedbythefrictionisdirectlyconvenedintochemicalenergy inadditiontoheateneryg andsomeotherfomr sofenergyintheCMPprocess，whichdirectlyreducesthe activationenergyofchemicalreaction，significantlyimprovesthereactionrate．Purelychemicalandpure— lymechanicalrolesareinaverysmallshareintheentireamountofCMP，whichca