第二讲：太阳能电池的半导体的特性.pptVIP

太阳能电池由半导体材料加工制造而成，就是说，这种材料在低温下相当于一个绝缘体，但当有能量和热量时它会成为一个有用的导体。自从这种技术成熟以后，大多数太阳能电池的生产都以硅为原料，尽管如此，从长远的观点来看，经过研究其它材料可能会取代硅。 引 言 本章重点： 本章着重介绍那些对于太阳能电池设计和动作非常重要的半导体性质。 2.1晶体结构 2.1.1单胞 对于任何给定的晶体，可以用来形成其晶体结构的最小单元 晶体结构 三维立方单胞 简立方、 体心立方、 面立方 晶向指数的确定 标定方法： (1)在一组相互平行的晶面中任选一个晶面，量出它在三个坐标轴上的截距，并用点阵周期a，b，c来度量。假设截距为r，s，t。 (2)取截距的倒数 1/r，1/s，1/t。 (3)将这些倒数乘以分母的最小公倍数，把他们化为三个简单整数h，k，l， ，并用圆括号括起来。使h∶k∶l = 1/r∶1/s∶1/t。 则(h k l)就是待标晶面的晶面指数。 2.1.4 晶面族 晶面夹角计算公式 2.2 原子的能级 电子壳层 不同支壳层电子 1s；2s，2p；3s，2p，3d；… 共有化运动 Si原子的能级 电子的能级是量子化的 2.2.1、半导体的导带，价带和禁带宽度 2.2.2 禁带宽度 禁带宽度(Band gap):是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。 要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。 半导体、绝缘体和导体 允许能态的占有几率 在低温时，晶体内电子占有最低能态。但是并非在晶体平衡时电子都处于最低允许能级。 根据泡利不相容原理：每个允许能级只能被两个自旋方向相反的电子所占据。 允许能态的占有几率 2. 费米能级和电子占据率 关于电子占据能级的规律，根据量子理论和泡利不相容原理，半导体中电子能级的分布服从费米－狄拉克统计分布规律。 在热平衡条件下，能量为E的能级被电子占据的概率为 k是玻尔兹曼常数，即1.38×10-23J/K；T为绝对温度；EF为费米能级。 图2－5 费米－狄拉克函数曲线 2.6 电子和空穴的动力学 1、对于自由电子，能量与动量的关系是： 能级密度N(E)：表示在导带和价带内晶体的单位能量、单位体积的电子状态的数目。 由固体理论知，在导带内的能级密度（可能的状态信息）为 在价带内的能级密度 （可能的状态信息） 2.8 电子和空穴的密度 单位体积晶体中，在导带内的电子数n： 2. 杂质半导体（N型半导体） 2. 杂质半导体（P型半导体） 1。施主杂质，施主能级，施主杂质电离能 施主杂质：能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心的杂质，称为施主杂质，掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。。 施主能级:被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级ED，施主能级位于离导带低很近的禁带中。(例如：硅释放多余电子所需能量仅为0.02ev) 施主杂质电离能：导带底EC与施主能级ED的能量之差?ED=EC-ED就是施主杂质的电离能。施主杂质未电离时是中性的，电离后成为正电中心 2。受主杂质，受主能级，受主杂质电离能 受主杂质：能够能够接受电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心的杂质，称为受主杂质，掺有受主杂质的半导体叫P型半导体。 受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级EA，受主能级位于离价带低很近的禁带中。 受主杂质电离能：价带顶EV与受主能级EA的能量之差?EA=EV-EA就是受主杂质的电离能。受主杂质未电离时是中性的，电离后成为负电中心 3.本征半导体，杂质半导体，杂质补偿半导体 本征半导体：没有杂质原子且晶体中无晶格缺陷的纯净半导体 杂质半导体：掺有施主杂质的N型半导体或掺有受主杂质的p型半导体都叫杂质半导体 杂质补偿半导体：同一半导体区域内既含有施主杂质又含有受主杂质的半导体 N型半导体与P型半导体的比较 图2－8 半导体能带图 （a）本征半导体，（b）N型半导体，（c）P型半导体 半导体中非平衡载流子的运动有两种，即扩散运动和漂移运动。它们都是定向运动，分别与扩散电流和漂移电流相联系。 扩散运动是在载流子浓度不均匀的情况下而发生的从高浓度处向低浓度处的迁移运动。是载流子无规则热运动的结果，它不是由电场力的推动而产生的。