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                ZnSe掺Cu与Zn空位缺陷的稳定性_电子结构与光学性质_英文_郭雷
                    
                                         物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) 
December                           Acta Phys. ⁃Chim. Sin. 2012, 28 (12), 2845-2851                                     2845 
[Article]                                 doi: 10.3866/PKU.WHX                           
          ZnSe 掺Cu 与Zn 空位缺陷的稳定性、电子结构与光学性质 
                                         郭 雷             胡 舸*            张胜涛 
                                           (重庆大学化学化工学院, 重庆400044) 
       摘要:     采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 对ZnSe 闪锌矿结构本体、掺入p 型 
       杂质Cu(Zn0.875Cu0.125Se)及Zn 空位(Zn0.875Se)超晶胞进行结构优化处理. 计算并详细分析了缺陷体系的形成能 
       和三种体系下ZnSe 材料的态密度、能带结构、集居数、介电和吸收光谱. 结果表明: 在Zn 空位与Cu 掺杂ZnSe 
       体系中,  由于空位及杂质能级的引入, 禁带宽度有所减小, 吸收光谱产生红移; 单空位缺陷结构不易形成, 
       Zn0.875Se 结构不稳定, Cu 掺杂ZnSe 结构相对更稳定. 
       关键词:      硒化锌;      空位缺陷;       Cu 掺杂;     电子结构;       光学性质;       第一性原理 
        中图分类号:        O641 
     Defects Energetics, Electronic Structure and Optical Properties of 
                      Cu-Doping and Zn Vacancy Impurities in ZnSe 
                                   GUO Lei         HU Ge*        ZHANG Sheng-Tao 
            (College of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, P. R. China) 
       Abstract:    Based  on  the  first-principles  within  the  density  functional  theory,  the  geometric  structures  of 
       perfect  zinc  blend ZnSe,  that  with  Zn  vacancies (Zn0.875Se)  and  Cu-doped ZnSe  (Zn0.875Cu0.125Se)  were 
       optimized  using  the plane-wave   ultrasoft pseudopotential  method.  The   defect formation  energy,  band 
       structure, density of states, Mulliken charges, and optical spectra were calculated and discussed in detail. 
       The results demonstrated that in Zn0.875Se and Zn0.875Cu0.125Se systems, because of the introduction of the 
       vacancy acceptor level or acceptor impurity level, the band gap is reduced, and the absorption peaks show 
       a  remarkable  redshift. Cu  doping  
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