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2017-12-08 发布于浙江
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功率VDMOS开关特性与结构关系

1998 2 Feb. 1998 25 1 JOURN ALOFXIDIANUNIVERSITY Vol. 25No . 1 VDMOS 戴显英　张鹤鸣　李跃进　王　伟 ( 710071) VDMOS 的开关时间对其开关功耗和频率特性有直接影响. 者设计和制造了种体内结构与常规VDMOS相同, 而表面结构不同的器件. 实验结果表明, 这种结构器件的开关时间都明显减小. VDMOS　器件结构　开关时间 T N 86. 1 VDM OS ( Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor field effect transistor) , , , . VDM OS, . , V DM OS . , . , VDM OS, VDMOS. VDM OS , P . [ 1] P . [ 2] P 0. 5 , m P VDM OS49% %, . VDM OS4 , . 1 [ ] VDM OS t dtr t st f : V th td = Cin R g ln 1 - , ( 1) V gs V gs - V th tr = Cin R g ln , ( 2) V gs - v gs Vgs ts = Cin R g ln , ( ) v gs v gs tf = Cin R g ln , ( 4) V th R g , V th , Vgs ,v gs 10% . Cin . ( 1) ( ) , Cin = Cgs + Cgd, ( 5) . : 第1 期　　　　　　　　　　　　　戴显英等: 功率VDMOS 开关特性与结构关系 99 ( 2) (4) , Cin = Cgs + ( 1 + k) Cgd. ( 6) Cgs , Cgd , k = -