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聚合物结构分析 第八章 显微分析 4．二次电子 二次电子的能量较低，约为0～50eV，大部分为2～3eV，发射深度一般不超过5～10nm。试样深处激发的二次电子没有足够的能量逸出表面。二次电子的强度与试样表面的几何形状、物理和化学性质有关，因此二次电子像能够表征试样表面丰富的细微结构。 5．背散射电子 背散射电子的能量较高（高于50eV)，发射深度约为10nm～1μm。背散射电子的强度与试样表面形貌和组成元素有关。 6．俄歇电子 从高能级跃迁到低能级而电离逸出试样表面的电子称为俄歇电子（Auger Electron）。每一种元素都有自己的特征俄歇能谱，因此可以利用俄歇电子能谱进行轻元素和超轻元素的分析（氢和氦除外）。 7．吸收电子 入射电子与试样作用后，由于非弹性散射失去一部分能量而被试样吸收，称为吸收电子。用一高灵敏度的电流表可测量出样品的吸收电流值，吸收电流经过适当放大后成像，即形成系数电流像，它的衬度明暗与背散射电子和二次电子像相反。吸收电子与入射电子强度之比和试样的原子序数、入射电子的入射角、试样的表面结构有关。 8．透射电子 当试样的厚度小于入射电子穿透的深度时，一部分入射电子与试样作用引起弹性散射或非弹性散射透过试样的电子称为透射电子。透射电子显微镜就是利用透射电子成像的。如果试样很薄