多晶制绒工艺a.pptxVIP

多晶制绒 目前,多晶硅绒面的制备技术主要有机械刻槽、等离子刻蚀和各向同性酸腐蚀.机械刻槽和等离子刻蚀制备出的绒面陷光效果非常好,但需要相对复杂的处理工序和昂贵的加工系统,不能满足大批量生产的要求.酸腐蚀绒面技术可以比较容易地整合到当前的太阳电池处理工序中,而且应用起来基本上是成本最低、最有可能广泛应用的多晶硅太阳电池绒面技术.我们采用多晶硅酸腐蚀制绒技术 多晶绒面反射原理 多晶硅片由不同晶粒构成,各个晶粒的晶向是随机分布的,采用传统的单晶硅表面织构化的各向异性碱腐蚀方法在多晶硅表面并不能得到理想效果的绒面.采用各向同性酸腐蚀在多 晶硅表面制出理想效果的绒面结构,这种类似于球面结构的绒面反射效果较理想. 多晶硅片 多晶绒面反射原理 绒面的减反射原理如下图: 绒面的减反射原理 多晶实际绒面电子图示 多晶酸制绒机理 多晶硅酸制绒过程分为两步进行. 第一步是硅的氧化过程。 3Si+4HNO3=3SiO2+2H2O+4NO↑ HNO3的强氧化性实现多晶硅的氧化,使其表面产生致密不溶于HNO3的SiO2层,导致反应减慢到停止。 第二步是SiO2的溶解过程.通常HF与SiO2生成可溶性H2SiF6,导致SiO2溶解,从而HNO3继续对多晶硅腐蚀。 SiO2+6HF= H2SiF6+H20 这个过程实质是个电化学反应过程。 多晶制绒设备 目前常使用多晶制绒都是链式